等离子体刻蚀..docxVIP

9 9 IG 等离子体刻蚀 集成电路的发展 1958年:第一个错集成电路 1961年：集成”个元件 目前：集成bo亿个元件 对比： 第一台计算机(EN IAC, 1946), 18000只电子管，重达30吨，占 地180平方米，耗电150千瓦。 奔II芯片：7.5百万个晶体管 集成电路发展的基本规律 穆尔法则：硅集成电路单位面积上的晶体管数，每 18个月翻 一番，特征尺寸下降一半。 集成度随时间的增长： io*y 1^ - 特征长度随时间的下降: 0 0 0 0 lk?I13 lk ?I 1 3 集成电路制造与等离子体刻蚀 集成电路本质：微小晶体管,M0场效应管的集成 微小晶体管，M0场的制作：硅片上微结构制作----槽、孑L 早期工艺：化学液体腐蚀----湿法工艺 5 微米以上 缺点：(a)腐蚀性残液----- 降低器件稳定性、寿命 各向同性 耗水量大(why) 环境污染 预腐蚀区域 抗腐蚀掩膜 实际腐蚀区 随着特征尺寸的下降，湿法工艺不能满足要求，寻求新的工艺 ---- 等离子体干法刻蚀，在1969引入半导体加工，在70年代开始广泛应 用。 (a)涂敷光胶掩膜，干化 (a)涂敷光胶掩膜，干化 等离子体刻蚀工艺流程 kJ (b)光胶掩膜曝光 (c)去除被曝光掩膜(显影) (d)等离子体刻蚀 (e)去除光胶(灰化) ^OeV) ^OeV) 6小h ^OeV) ^OeV) 6小h 等离子体刻蚀过程、原理: 能量馈入 刻蚀反应粒子的产生、输运 (1)产生化学活性的带电粒子、中性自由基 (2)反应粒子输运 3)带电粒子穿越鞘层加速 (4)反应粒子在刻蚀槽孔内输运、 反应 例：CF的分解、电离过程 ^C12eV) i?(S.5eV 刻蚀三个阶段 刻蚀物质的吸附、反应 挥发性产物的形成； ⑶产物的脱附， 氯等离子体刻蚀硅反应过程 CI2》CI+CI Si （表面）2CI SiCl2 SiCl2 2CI SiCl4（why） CF4等离子体刻蚀SiO2反应过程 C F斗一 2 F 亠 C F2 (/rivn o/f 1 cr } SiO; 4- 4 b — SjF4 +20 I ) Si(J；+2CR ^SiF4 + 2CO (弊店小) 离子轰击作用 三种主要作用 化学增强物理溅射(Chemical en2haneed physicaI sputteri ng) 例如,含氟的等离子体在硅表面形成的SiFx基与元素 Si相比,其键合能比较低，因而在离子轰击时具有较高 的溅射几率， 晶格损伤诱导化学反应(damage - induced chemical reacti on) 离子轰击产生的晶格损伤使基片表面与气体物质的反 应速率增大 化学溅射(chemical sputtering) 活性离子轰击引起一种化学反应，使其先形成弱束缚的 分子，然后从表面脱附。 其他作用 ?加速反应物的脱附--- 提高刻蚀反应速度 ?控制附加沉积物--- 提高刻蚀的各向异性 ?损伤 等离子体各向异性的实现 C4F8 离解＞ CxFy表面聚合＞ (CxFy)n-----＞ 钝化层 等离子体刻蚀的特点、优点 污染小，刻蚀残存物少 可以实现各向异性刻蚀 工艺兼容性好：刻蚀、沉积、掺杂 缺点: 成本高 机理过程复杂，技术难度高 器件损伤大 等离子体刻蚀技术 刻蚀指标要求 片间、片内均匀性---- 各向异性-----图形高保真 高刻蚀速率---- 线宽损失 高选择比----- 刻蚀速率比 低损伤 ? 刻蚀技术的趋势: 单片工艺 大片化 (为什么要大片化？) 1980 早期 100 to 150 1980 晚期 150 to 200 1990末期 200 to 300 2009 450 原因：提高效率，降低成本 微细化 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 0.25 0.18 0.15 0.13 0.1 0.07 0.05 亚微米，深亚微米 铜线工艺 多层互连1997, 6层----- 2002， 9层 低损伤 刻蚀等离子体源的发展趋势 低气压 大片化 高密度 高速率—— ECR,ICP, HELICON, SWP 大面积均匀--- 脉冲----- 各类材料/结构刻蚀 微电子 硅 mono , poly, doped , undoped 介质刻蚀---氧化物刻蚀， 氮氧化物 金属刻蚀----铝，钨，钼 光胶掩膜--- 光电子 II-VI, III-V半导体材料，石英光波导 激光器腔面、光栅、镜面 （对于刻蚀表面的光滑度、形状控制要求较高） 微机电 硅 高刻蚀速率 刻蚀形状 图3祁漏卜?刻蚀SO｝材料制作MIMS SEM图 堪片尺1 JOd讪5侧壁粗槌度：2了 nm 等离子体刻蚀中的各种效应、影响 （1）宏观负载效应（mac