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液 晶显示器的驱动原理 TFT LCD液 晶显示器的驱动原理 TFT LCD 液 晶显示器的驱动原理 （一） TFT LCD液 晶显示器的驱动原理 （一） TFT LCD 我们针对 TFT LCD 的整体系统面来做介绍, 也就是对其驱动原理来做介绍, 而其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系, 而有所 我们针对 TFT LCD 的整体系统面来做介绍, 也就是对其驱动原理来做介绍, 而其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系, 而有所 不同. 首先我们来介绍由于 Cs(storage capacitor)储存电容架构不同, 所形成不同驱动系统架构的原理. 不同. 首先我们来介绍由于 Cs(storage capacitor)储存电容架构不同, 所形成不同驱动系统架构的原理. Cs(storage capacitor)储存电容的架构 Cs(storage capacitor)储存电容的架构 一般最常见的储存电容架构有两种, 分别是 Cs on gate 与 Cs on common 这两种. 这两种顾名思义就可以知道, 它的主要差别就 一般最常见的储存电容架构有两种, 分别是 Cs on gate 与 Cs on common 这两种. 这两种顾名思义就可以知道, 它的主要差别就 在于储存电容是利用 gate 走线或是 common 走线来完成的. 在上一篇文章中, 我曾提到, 储存电容主要是为了让充好电的电压,能保持 在于储存电容是利用 gate 走线或是 common 走线来完成的. 在上一篇文章中, 我曾提到, 储存电容主要是为了让充好电的电压,能保持 到下一次更新画面的时候之用. 所以我们就必须像在 CMOS 的制程之中, 利用不同层的走线, 来形成平行板电容. 而在 TFT LCD 的制程 到下一次更新画面的时候之用. 所以我们就必须像在 CMOS 的制程之中, 利用不同层的走线, 来形成平行板电容. 而在 TFT LCD 的制程 之中, 则是利用显示电极与 gate 走线或是 common 走线,所形成的平行板电容,来制作出储存电容 Cs. 之中, 则是利用显示电极与 gate 走线或是 common 走线,所形成的平行板电容,来制作出储存电容 Cs. 图 1就是这两种储存电容架构, 从图中我们可以很明显的知道, Cs on gate 由于不必像Cs on common 一样, 需要增加一条额外的 图 1就是这两种储存电容架构, 从图中我们可以很明显的知道, Cs on gate 由于不必像Cs on common 一样, 需要增加一条额外的 common 走线, 所以它的开口率(Aperture ratio)会比较大. 而开口率的大小, 是影响面板的亮度与设计的重要因素. 所以现今面板的 common 走线, 所以它的开口率(Aperture ratio)会比较大. 而开口率的大小, 是影响面板的亮度与设计的重要因素. 所以现今面板的 设计大多使用 Cs on gate 的方式. 但是由于 Cs on gate 的方式, 它的储存电容是由下一条的 gate 走线与显示电极之间形成的.(请见 设计大多使用 Cs on gate 的方式. 但是由于 Cs on gate 的方式, 它的储存电容是由下一条的 gate 走线与显示电极之间形成的.(请见 图2 的Cs on gate 与 Cs on common 的等效电路) 而 gate 走线, 顾名思义就是接到每一个 TFT 的gate 端的走线, 主要就是作为 gate 图2 的Cs on gate 与 Cs on common 的等效电路) 而 gate 走线, 顾名思义就是接到每一个 TFT 的gate 端的走线, 主要就是作为 gate driver 送出信号, 来打开 TFT, 好让 TFT 对显示电极作充放电的动作. 所以当下一条 gate 走线, 送出电压要打开下一个 TFT 时 ,便会 driver 送出信号, 来打开 TFT, 好让 TFT 对显示电极作充放电的动作. 所以当下一条 gate 走线, 送出电压要打开下一个 TFT 时 ,便会 影响到储存电容上储存电压的大小.