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RAM调研与及总结
一、RAM调研
1.1 RAM分类和主要特性
主要易失性RAM存储器的分类和主要性能:
成本
容量
性能
功耗
主要市场
Low Power SDRM
最低
最高
最低
高
手持设备
SRAM
最高
最低
最高
低
高性能设备,Cache
1T SRAM(PSRAM、CellularRAM)
低
高
高
低
低功耗手持设备(手机)
Embedded SRAM
最高
最低
最高
最高
处理器的Cache
Embedded DRAM
低
高
中
低
嵌入式应用(设计初期复杂)
1.2 RAM产品调研
1.2.1 市场应用要求
主要的应用市场:
向高性能通信网络所需的高速器件发展;
降低功耗,以适应蓬勃发展的便携式应用市场;
不同的应用市场对RAM需求:
SRAM(Cache)
1T SRAM/SDRAM
容量
性能
容量
性能
Server Processors
4M
3GHz
Embedded processors
Cell Broadband Engine Processors(IBM推出高端)
2M
3GHz
Mobile Application
1-64+M
1.2.2 Memory芯片公司产品分布
Memory芯片公司的产品分布情况:
表1 各个产品在各个公司中的分布
产品
公司
Async SRAMs
Dual-port SRAMs
Sync SRAMs
ULP SRAM
SDRAM
CellularRAM
PSRAM
NVM
Cypress
√
√
√
√
Micron
√
√
富士通
√
Hynix
√
Winbond
√
Powerchip
√
Kilopass
√
Mosys
√
表2 各个公司的产品性能
公司
产品
性能
Cypress
Async SRAMs
8-35ns,4K-16M(产品数289)
Dual-port SRAMs
6-55ns,8K-32M(261)
Sync SRAMs
100-550MHz,2M-72M(858)
ULP SRAM
45-70ns,64k-64M(276)
Micron
SDRAM
64M-512M,电源电压3.3V,时钟频率133-200MHz
CellularRAM
16M, Cuts access time in half, making first data available in as little as 35ns
富士通
PSRAM
MB82DBS08164D :128Mb,时钟存取时间6ns,最大工作频率83MHz,工作电压1.8V
Hynix
PSRAM
HY64SD16645M: 4Mx16,速度70ns,
66MHz下
Winbond
PSRAM
W965A6FKA:32Mb,65ns,-25 to 85 C;W966A6GKA: 64Mb,65ns,-25 to 85 C 等等
Powerchip
SDRAM
64Mb-256Mb,data transfer speed:133Mbps-400Mbps
Kilopass
NVM
Itera?:32b-1Mb;工艺:65nm-40nm
Mosys
PSRAM
到目前为止,采用这种存储单元(1T SRAM存储单元)的芯片销量达到5,000万只左右
发展趋势:
高速网络方面:FCRAM和RLDRAM快速发展,可能会和SRAM竞争。
便携式应用领域:CellularRAM和Mobile FCRAM等PSRAM产品,SRAM。老手机存储器大多使用LP SRAM,因为SRAM比DRAM省电,现在手机功能越来越多,因此手机对存储容量的需求逐渐攀升,1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比SRAM高,而1T SRAM消耗的电量比较少,所以1T SRAM在此领域使用的优势相对较高【1】。
目前PSRAM阵营包括了由柏士半导体(Cypress)、英飞凌(Infineon)、美光(Micron)、日本瑞萨科技(Renesas)合组的CellularRAM联盟;由NEC、富士通、东芝等日系业者合组的CosmoRAM联盟主要也是针对行动装置应用的PSRAM架构阵营,不过由于其接脚及一些定义上与CellularRAM不兼容,所以一般较少见到其应用;以及韩国二大 存储器厂三星及Hynix合组的PSRAM联盟。诸如华邦、力晶、南亚科及茂德等台湾 存储器厂商,多集中在CellularRAM这个阵营,如力晶与瑞萨合作,南亚科、华邦与英飞凌合作,茂德则是与柏士半导体合作(在PSRAM方面)。目前也已经有容量高达256Mbit的PSRAM产品出现。
1.2.3 RAM IP核公司产品分布
Memory IP公司的产品分布情况:
表3 memory IP 公司的各个产品统计表
公司
产品
性能
An
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