(定)硅化物及其薄膜在微电子学中的应用报告.pdfVIP

硅化物薄膜在微电子学及其应用 Shyam P. Murarka Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA (Received 7 February 1994; accepted 4 June 1994) 在本文讨论了金属硅化物与其他硅元素化合物的Ⅳ族元素导电 过渡的有效性及其薄膜在微电子学中的应用。 下面简要描述设备的结 构、接触电阻、互连延迟 ( 硅化物用于降低这些关键性能参数的设备 和集成电路 ) 、所需的材料特性 , 对于硅化物的薄膜的制备进行了简要 回顾, 对于外延硅化物和硅化物的稳定性进行了讨论。结果表明硅化 物甚至 GaAs的高导电性、低阻抗、高温稳定性及耐腐蚀方面应用在 微电子方面有着极大的优势。它们材料广泛、性能可靠，显示出继续 应用的潜能 , 无论是下降的设备还是硅环形集成电路中。它们提供了 生产三维器件 / 环形结构的可能性，并且明显的提高了异质结期间的 速度。 关键词 : 硅化物、薄膜、钴硅化物 , 集成电路 , 电子 一、简介 元素周期表中硅化物与其他元素硅的化合物。 他们涵盖所有的化 （1 ） 合物，这作者的最喜欢的图 , 所谓的硅化物周期表 ( 图 l) 。这些化 2 合物的分子氧硅化物 (SiO ), 俗称二氧化硅 , 二氧化硅是地球的主要 组成部分，也是硅集成电路成功的关键材料。硅的化合物与氢、碳、 氮、卤素也在集成电路中扮演着重要的角色。 CSi, 俗称硅硬质合金 , 是一种潜在的高温半导体，适用于硅基器件的应用程序。在本文中 , 限于下降的硅化物类别的所谓 “金属间化合物”, 材料 , 或多或少是金 属或像图 1 中的 heavy-lined 插图所示。这些都是过渡金属硅化物。 从二十世纪开始， 过渡金属硅化物就受到了极大的关注。 大部分 研究通过 1950年代步入 1960 年代使用粉末冶金技术生产这些材料。 132 个研究主要重点调查了基本属性如电阻率、高温稳定性、构建金 属硅相图 , 硅化物晶体化学以及耐蚀性。一些硅化物具有非常高的熔 （2） 2 点用于炉子的原材料和高温涂料 , 仍在研究 MoSi 在一些或其他的形 式的应用 （3 ） 过渡金属硅化物 , 一般来说 , 金属 - 金属和合金这些比较低电导率 是良好的电导体。使用硅化物作为导体在 SiCs 的可能性以及硅化物 （4 、5 ） 薄膜的研究首先在六十年代末开始 , 然后当时就表示 应用 ( 见下个 定义部分 ) 集中在使用 （a）肖特基势垒和欧姆接触 ,(b) 门和互连金属 以及(c) 外延导体异质结。 （6 ）除了测量肖特基势垒高度 , 接触电阻和电 阻，形成金属硅系统和反应扩散动力学。过去