1.3-μm InAs_GaAs量子点激光器的材料外延和工艺设计.pdfVIP

摘要 摘要 随着光纤通讯和高速信息化的发展，作为光纤通信的光源，对半导体激光 器的性能要求越来越高。因为半导体量子点独有的材料特性，国内外将目光聚 焦到了高性能量子点激光器的研发和产业化。目前大多通信波段激光器主要 是 InP 基，但是这类激光器缺点比较多，难以作为低成本的高速光通讯的传 输光源。量子点激光器件由于三维量子限制效应，展现出了低阈值电流密度、 高微分增益、高温度稳定性、高调制速度以及低的频率啁啾效应等优势，成为 了光通讯传输光源的优秀选择。 高密度的量子点是提高量子点激光器的决定性因素，但传统的 S-K 生长 模式当改变某种生长条件提高量子点密度时，同时也提高了量子点体系中的 位错密度.本文对1.3 μm InAs/GaAs 量子点激光器开展了系统性的研究，包括 高性能InAs/GaAs 量子点的分子束外延生长、激光器结构的外延和工艺制作、 器件性能的测试与分析、量子点激光器物理特性的研究等方面，主要创新成果 如下: 基于S-K 生长模式优化了1.3 μm InAs/GaAs 量子点的生长温度，V-III 比， InAs 淀积量以及盖层InGaAs 的生长厚度