单层mos2电子结构的调制.pdfVIP

摘要 摘要 二硫化钼 （MoS ）材料由于其特殊的电子结构以及独特的物理性质，近几年来引起 2 科研工作者的广泛关注。其中，单层二硫化钼材料在快速场效应管电子器件、高效光伏 太阳能电池以及灵敏气体传感器方面有着十分重要的应用。同时通过形貌、掺杂、缺陷 控制对单层MoS 的电子能带结构、光学性质、磁性等性质进行有规律调制是目前重要 2 的科研方向。 本文采用基于密度泛函理论 （DFT）的第一性原理计算方法，系统地研究了第八族 元素掺杂单层MoS 以及S 空位单层MoS 体系的电子结构、磁性及光学性质。结果表 2 2 明，第八族杂质及S空位的引入均可调节材料的磁性和光吸收能力。通过形成能计算， 发现，杂质与S缺陷最近邻构型的形成能最小。磁性计算结果表明： （1）通过调节杂 质与S 空位的间距，掺杂的单层MoS 可以显现出不同大小的磁矩； （2）Pd 原子单掺 2 杂的体系是非磁性的，但是S 空