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模拟电子技术复习资料总结
模拟电子技术复习资料总结
第一章 半导体二极管
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
一.半导体的基础知识
1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性光敏、热敏和掺杂特性。
2.特性光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是电子。）
*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是电子。）
*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素 （多子是电子，少子是空穴。）
*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素 （多子是电子，少子是空穴。）
6. 杂质半导体的特性
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻通常把杂质半导体自 的电阻称为体电阻。
*体电阻通常把杂质半导体自 的电阻称为体电阻。
*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为 外一种杂质半导体。
*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为 外一种杂质半导体。
7. PN 结
7. PN 结
* PN 结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN 结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。
* PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。
8. PN 结的伏安特性
8. PN 结的伏安特性
二. 半导体二极管
二. 半导体二极管
*单向导电性正向导通，反向截止。
*单向导电性正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性同ＰＮ结。
*二极管伏安特性同ＰＮ结。
*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。
*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V V ( 正偏 )，二极管导通(短路) ;
若 V V ( 正偏 )，二极管导通(短路) ;
阳 阴
阳 阴
若 V V ( 反偏 )，二极管截止(开路)。
若 V V ( 反偏 )，二极管截止(开路)。
阳 阴
阳 阴
1）图解分析法
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
该式与伏安特性曲线
Q
Q
的交点叫静态工作点 。
的交点叫静态工作点 。
2) 等效电路法
2) 等效电路法
➢
➢ 直流等效电路法
直流等效电路法
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