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模拟电子技术复习资料总结 模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 一.半导体的基础知识 1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅 Si、锗 Ge)。 1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅 Si、锗 Ge)。 2.特性光敏、热敏和掺杂特性。 2.特性光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。 3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体 5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体 的掺杂特性。 的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是 电子）。 电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素 （多子是电子，少子是 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素 （多子是电子，少子是 空穴）。 空穴）。 6. 杂质半导体的特性 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 *转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 体。 体。 7. PN 结 7. PN 结 * PN 结的接触电位差硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。 * PN 结的接触电位差硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。 * PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。 * PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 8. PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 二. 半导体二极管 *单向导电性正向导通，反向截止。 *单向导电性正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性同ＰＮ结。 *二极管伏安特性同ＰＮ结。 *正向导通压降硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *正向导通压降硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *死区电压硅管 0.5V，锗管 0.1V。 *死区电压硅管 0.5V，锗管 0.1V。 3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V V ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V V ( 正偏 )，二极管导通(短路); 阳 阴 阳 阴 若 V V ( 反偏 )，二极管截止(开路)。 若 V V ( 反偏 )，二极管截止(开路)。 阳 阴 阳 阴 1）图解分析法 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 Q 的交点叫静态工作点 。 2) 等效电路法 2) 等效电路法 ➢ ➢ 直流等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : *总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路);