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电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2. 当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平 滑，这就是 滤波 3. 双极性晶体管按结构可分为 NPN型和 PNP型 。 4. 晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为 共基 极、共发射极、共集电极 。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结 正偏 ，集电结 反偏； 二是放大电路要有完善的 直流通路 和 交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成 饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN型硅三极管的发射结电压 UBE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP型锗三极管的发射结电压 UBE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点 Q大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20 ．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21 ．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22 ．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23 ．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24 ．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或 MOS） 场效应管 25 ．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26 ．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象 称为 零点漂移（或零漂） 。 27 ． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28 ．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29 ．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30 ．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31 ．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32 ．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33 ．自激振荡的起振时应满足 AF1 33 ．交流电源变换成直流电源的电路一般由 电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路 等四部分组成。 34 ．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于 饱和导通 状态和 截止 状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是 3.6V ，典型低电平值是 0.3V 。 36. 逻辑代数中的基本运算关系是 与、或、非 37. 十进制数 513 对应的二进制数 1000000001 ，对应的十六进制