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- 2021-02-06 发布于河北
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第五部分 TEM波屏蔽带状线S参数研究
一.设计要求
一段长度为L的TEM波屏蔽带状线如图一所示,在中心导体中开有两个矩形孔。要求图示S11、S21在DC-10GHz频段上的变化情况。
图一 仿真结构示意图
图一 仿真结构示意图
二.原理及方法
同前面的差分法不同,这里需要用时域有限差分(FDTD)来解决相关问题。利用FDTD电磁场六个分量的差分公式,求出空间的电磁场。并在两个端口附近各设置一个监测面,用以记录入射波和反射波电场信息,再通过傅立叶变换,得到频域信息,就可以求出S11和S21。
三.具体实现
首先,对仿真空间划分网格。根据最大频率10GHz,得到最小波长=3mm
为了计算方便同时又满足的要求,选取。根据稳定性条件,选取,这里c是真空中光速。
第二步,选取激励源。在这里时间上采用高斯脉冲激励,根据最大频率10GHz,得到T=1/(2fmax),取t0=3T,就能取到高斯脉冲的92%的信息。激励源由两部分构成,除了时间信息之外还应有幅度信息,这里需要的是关于TEM波的信息,因此激励源的幅值应该满足TEM波特性。可以用第二部分介绍的有限差分法先计算出TEM模分量在入射端截面各网格上的幅值,再乘以时间信息就得到完整的激励源。另外,激励源是加在截面上的,因此需要在x、y两个方向同时加激励。
第三步,确定边界条件。对于TEM波,可采取一阶mur吸收边界条件,在输入端,可以在高斯波
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