pn结正向压降与温度关系的研究.docxVIP

随着半导体工艺水平的不断提高和发展 ，半导体PN结正向压降随温度升高而降低的特 性使PN结作为测温元件成为可能，过去由于PN结的参数不稳，它的应用受到了极大限制，进 入二十世纪七十年代以来，微电子技术的发展日趋成熟和完善 ,PN结作为测温元件受到了广 泛的关注。 温度传感器有正温度系数传感器和负温度系数传感器之分， 正温度系数传感器的阻值随 温度的上升而增加，负温系数传感器的阻值随温度的上升而减少，热电偶、热敏电阻，测温 电阻属于正温度系数传感器，而半导体 PN结属于负温度系数的传感器。这两类传感器各有 其优缺点，热电偶测温范围宽，但灵敏度低，输出线性差，需要设置参考点；而热敏电阻体 积小，灵敏度高，热响应速度快，缺点是线性度差；测温电阻如铂电阻虽然精度高，线性度 好，但灵敏度低，价格高。相比之下， PN结温度传感器有灵敏度高，线性好，热响应快和 体积小的优点，尤其在数字测温，自动控制和微机信号处理方面有其独特之处， 因而获得了 广泛的应用。 一.实验目的 了解PN结正向压降随温度变化的基本关系，测定 PN结If -Vf特性曲线。 测绘PN结正向压降随温度变化的关系曲线，确定其灵敏度及 PN结材料的禁 带宽度。 学会用PN结测量温度的一般方法。 .实验仪器 .SQ-J型PN结特性测试仪，三极管(3DG6),测温元件，样品支架等。 .实验原理 1. PN结If -Vf特性的测量 由半导体物理学中有关 PN结的研究可以得出 PN结的正向电流lF与正向电压VF满足 以下关系； eVF I f = I s (exp — -1) ⑴ kT 式中e为电子电荷量、k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，Is为反向饱和电流，它是一个 与PN结材料禁带宽度及温度等因素有关的系数，是不随电压变化的常数。由于在常温 (300K)下，kT/q=0.026,而PN结的正向压降一般为零点几伏 ，所以exp 也》1,上式括号内 kT 的第二项可以忽略不计，于是有 eVF =Is exp kT 这就是PN结正向电流与正向电压按指数规律变化的关系 ，若测得半导体PN结的lF -Vf关 系值，则可利用上式以求出 e/kT?在测得温度T后就可得到e/k常数，将电子电量代入即可求得 玻尔兹曼常数k。 在实际测量中，二极管的正向 |F _Vf关系虽能较好满足指数关系，但求得的 k值往往 偏小，这是因为二极管正向电流 If中不仅含有扩散电流，还含有其它电流成份。如耗尽层 复合电流?、表面电流等。在实验中，采用硅三极管来代替硅二极管，复合电流主要在基极出 现，三极管接成共基极线路（集电极与基极短接） ，集电极电流中不包含复合电流。若选取 性能良好的硅三极管， 使它处于较低的正向偏置状态， 则表面电流的影响可忽略。 此时集电 极电流与发射极 一基极电压满足⑵式，可验证该式，求出准确的 e/k常数。 PN结正向压降随温度变化灵敏度 S的测量 由物理学知，二极管的反向饱和电流Is与绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶间的 电势差Vg（O）有如下关系: -CT -CTr exp :eVg(O)[ ]kT 一 ⑶式中，r是常数，C是与结面积、掺杂浓度等有关的参数，将⑶式代⑴式后两边取 对数得 Vf 二Vg(O)-(kl门2)丁-匹1 nTr =V| Vme l f e k c 其中 Vi 二 Vg -(-ln — )T e l f 必|一耳1 nT r e ⑷式即为PN结正向压降、正向电流和温度间的函数关系， 它是PN结温度传感器工作的 基本方程。若保持正向电流恒定即 lF二常数，则正向压降只随温度变化，显然，⑷式中除 线性项Vi外还含有非线性项 Vm，但可以证明当温度变化范围不大时 （对硅二极管来说， 温 度范围在-50 C -150 C） Vnl引起的误差可忽略不记。因此在恒流供电条件下， PN结的正向 压降Vf对环境温度T的依赖关系主要取决于线性项 V|，即PN结的正向压降随温度升高而 线性下降，这就是 PN结测温的依据。但必须指出，这一结论仅适用于杂质全部电离、本征 激发可以忽略的温度区间。若温度过高或过低（不在上述温度范围） ，则随着杂质电离因子 减少或本征载流子迅速增加， VF - T关系的非线性变化将更为严重， 说明VF - T特性还与 PN结的材料有关。实验证明，宽带材料（如 GaAs）构成的PN结，其高温端线性区宽，而材 料（如Insb ）杂质电离能小的 PN结，其低温端的线性区宽，对于给定的 PN结，即使在杂 质导电和非本征激发温度范围内，其线性度随温度的高低也有所不同，这是非线性项 Vni引 起的。由⑷式可以看出，减小 I f ,可以改善线性度，但这不能从根本上解决问题，目前行 之有效的方法是利用对管的两个 be结（即三极管基极和集电极短路后与发射机组成一个