模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.pdf

4.1 简述耗尽型和增强型 MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（ V DS>0V ， VGS>V T ），画出 P 沟道增强型 MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简 述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道， 连通了源区和漏区， 也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压 VGS 产生 沟道。 随着 V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时， 栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的 P 型区”，它连接源区和 漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压 VDS ，那么空穴就会沿着新的 P 型区定向地从 源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为 iD 。当 vSG 一定，而 vSD 持续增 大时，则相应的 vDG 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至 v DG Vt ，沟道预夹断，进入 饱和区。电流 iD 不再随 vSD 的变化而变化，而是一个恒定值。 2 4.2 考虑一个 N 沟道 MOSFET ，其 kn = 50 μA/V ，Vt = 1V ，以及 W/L = 10 。求下列情况下的 漏极电流： （1 ）VGS = 5V 且 V DS = 1V ； （2 ）VGS = 2V 且 V DS = 1.2V ； （3 ）VGS = 0.5V 且 V DS = 0.2V ； （4 ）VGS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件 v …V ， v v V ，该场效应管工作在变阻区。 GS t DS GS t W 1 2 iD kn vGS Vt vDS vDS =1.75mA L 2 (2) 根据条件 vGS …Vt ， vDS vGS Vt ，该场效应管工作在饱和区。 1 W 2 iD kn vGS Vt =0.25mA 2 L (3) 根据条件 vGS Vt ，该场效应管工作在截止区， i D 0 (4) 根据条件 vGS …Vt ， vDS vGS Vt ，该场效应管工作在饱和区 1 W 2 iD kn vGS Vt =4mA 2 L 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题 4.1 所示的输出特性曲线， 试判断它们的类型， 并 确定夹断电压或开启电压值。 图题 4.1 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 4.4 一个 NMOS 晶体管有 V t = 1V 。当 VGS = 2V 时，求得电阻 rDS 为 1k 。为了使 rDS = 500 ， 则 VGS 为多少？当晶体管的 W 为原 W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有 iD kn W vGS Vt vDS L vDS