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功耗延时积（ PDP）:功耗和延时的乘积一般为常数
NMOS 和 PMOS 阈值电压和体效应系数均分别为正值和负值
若 V GS 不变， MOSFET 随着 V DS 的增大进入的所处的状态：
长沟道器件：亚阈值区（弱反型） — 线性区 —饱和区（强反型）
短沟道器件：亚阈值区（弱反型） — 线性区 — 速度饱和区 — 饱和区（强反
型）
在饱和区长沟道器件的 VGS 与 I DS 成平方关系，短沟道器件 VGS 与 IDS 成线性关系
n W
VDD VTP VTn kn'( )N
p n L kn ' n
中点电压 VM ， ，又 2 ，
1 n p kn(W ) P kn p
L
p
W 1
保证 ( ) 之比为 0.5 才能保证中点电压在 VDD 处，达到对称反相器设计的要求
L 2
1
上升时间是从 0.1V DD 到 0.9V DD 的时间， t r 2.2 最大信号频率 f max
tr tf
上升和下降延时用来描述输入输出本身的逻辑改变的快慢， 传播延时则是输入逻
辑传播到输出逻辑的时间，是输入和输出 0.5V DD 翻转点时间的延迟平均值
t pr 0.69
1 n n
VDD VTP VTn VDD VTP N VTn
N p p
N 输入与非门 VM N 输入或非门 VM
1 n n
1 1 N
N p p
用 m 倍尺寸的 N 输入 NAND 可以写成：
N 1 pu N nu
r r 0 L f f 0 L
t t C t ( N 1t) C
2 m m
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