X射线光电子能谱(XPS)谱图分析.docx

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2021-02-27 发布于天津
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一光电子能谱分析的基本原理光电子能谱分析的基本原理一定能量的光照射到样品表面和待测物质发生作用可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子该过程可用下式表示其中光子的能量光电子的能量电子的结合能原子的反冲能量其中很小可以忽略间当对于固体样品计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子而是选用费米能级由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数剩余的能量成为自由电子的动能式又可表示为仪器材料的功函数是一个定值约为入射光子能量已知这样如果测出电子的动能便可

一、X光电子能谱分析的基本原理 X光电子能谱分析的基本原理：一定能量的 X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示： hn=Ek+Eb+Er (1) 其中:hn : X光子的能量；Ek：光电子的能量；Eb:电子的结合能；Er:原子的反冲能量。其中Er很小，可以忽略。 fmm a SiJJcorj WaferSainp/es are usually solia because XPS rwytr/res ufus-hign vacuum fdO1 fmm a SiJJcorj Wafer Sainp/es are usual