电力电子技术试卷习题.docx

重庆科技学院 200 /200  学年第  学期考试试卷 课程名称： 电力电子技术 课程代码： 专业班级： 教学班号： 本卷为 1 卷，共 6 页，考试方式： 闭卷 ，考试时间： 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得 分 阅卷人  120 总  分钟 分  复核人 一、填空题（共  8 小题，每空  1 分，共  20 分） 1、电子技术包括 ______________和电力电子技术两大分支， 通常所说的模拟电 子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 _________状态。 当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在 PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 _____________，当 它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成 若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为 ____________调制。 4、面积等效原理指的是， _________相等而 _______不同的窄脉冲加在具有惯性 的环节上时，其效果基本相同。 5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET中，开关速度最快的是 _________，单管输出 功率最大的是  _____________，应用最为广泛的是  ___________。 6、设三相电源的相电压为 U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时， 能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即  晶闸管可 ， 其承受的最大正向电压为  。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为  逆变，如果接到负载，则称 为 逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 ( 用 V1,VD1,V2,VD2 表示 ) 。 0~t1 时间段内，电流的通路为 ________； t1~t2 时间段内，电流的通路为 _______； t2~t3 时间段内，电流的通路为 _______； t3~t4 时间段内，电流的通路为 _______； t4~t5 时间段内，电流的通路为 _______； 二、选择题（共 10 小题，前 4 题每题 2 分，其余每题 1 分，共 14 分） 1、单相桥式 PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是 （ ） A、V1与 V4导通， V2与 V3关断 B、V1常通， V2 常断， V3 与 V4 交替 通断 C、V1与 V4关断， V2与 V3导通 D、 V1常断， V2 常通， V3 与 V4 交替 通断 2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时， 必须加宽脉冲或脉冲列触发， 电 路才能正常工作 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时， 晶闸管的导 通角为 180 度 D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为 180 度 3、在三相三线交流调压电路中， 输出电压的波形如下图所示， 在 t1~t2 时间段 内，有（ ）晶闸管导通。 A、1 个 B、2 个 C、3 个 D、4 个 4、对于单相交交变频电路如下图，在  t1~t2  时间段内， P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装置的工作状态是（  ） A、P 组阻断， N组整流  B、P 组阻断， N组逆变 C、N 组阻断， P 组整流  D、N组阻断， P组逆变 5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A、30°～ 150° B 、0°～ 120° C、15°～ 125° D 、0°～ 150° 6、桓流驱动电路中加速电容 C的作用是（ ） A、加快功率晶体管的开通 B 、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A、 AC/AC B 、DC/AC C、 DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度， 减少存储时间， 桓流驱动电路经常采用 （ ） A、 du/dt 抑制电路 B 、抗饱和电路 C、 di/dt 抑制电路 D 、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） A、减小至维持电流以下 B 、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D 、减小至 5A 以下 10、 IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） A、 GTR驱动的 MOSFET B 、MOSFET驱动的 GTR C、 MOSFET驱动的晶闸管 D 、 MOSFET驱动的 GTO 三、计算题