模拟电子技术：CH04-1 场效应三极管及放大电路.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * P沟道增强型MOSFET iD假设流入漏极 可变电阻区 vGS ≤VTP vDS≥（vGS－VTP） * 饱和区 vGS ≤VTP vDS≤（vGS－VTP） P沟道增强型MOSFET KP是P沟道器件的电导参数 * * 4.1.4 沟道长度调制效应 饱和区的曲线并不是平的 实际问题： 饱和区的iD曲线随着vDS增大而略有增大 与沟道长度有关 引入沟道长度调制参数λ 修正后 L的单位为?m-沟道长度 表示iD仍受vDS的控制 L * 4.1.4 沟道长度调制效应 曲线应该是一个倾斜的直线 上式表示一个什么曲线？ 对确定的FET应该是一常数 vDS控制iD的特性分析： * 5.1.4 沟道长度调制效应 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 沟道越长，曲线越平 曲线和vDS轴的交点 应该和输出曲线是什么关系？ 部分重合 放大倍数变小 Kn(~W/L)小 -VA(=-1/λ)称为厄雷（Early）电压 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的（N沟道为例） L的单位为?m 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 修正后 VA称为厄雷（Early）电压 1. 沟道长度调制效应 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压vBS将影响实际的开启（夹断）电压和转移特性。 VTNO表示vBS = 0时的开启电压 2. 衬底调制效应（体效应） N沟道增强型 对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 2. 衬底调制效应（体效应） 通常，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道器件的衬底接电路的最高电位。 为保证导电沟道与衬底之间的PN结反偏，要求： N沟道: vBS ? 0 P沟道: vBS ? 0 * P沟道器件的衬底接电路的最高电位。 N沟道器件的衬底接电路的最低电位。 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 3. 温度效应 VTN和电导常数Kn随温度升高而下降，且Kn受温度的影响大于VTN受温度的影响。 当温度升高时，对于给定的VGS，总的效果是漏极电流减小。 可变电阻区 饱和区 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4. 击穿效应 （1）漏衬击穿 外加的漏源电压过高，将导致漏极到衬底的PN结击穿。 若绝缘层厚度tox= 50 纳米时，只要约30V的栅极电压就可将绝缘层击穿，若取安全系数为3，则最大栅极安全电压只有10V。 （2）栅极击穿 通常在MOS管的栅源间接入双向稳压管，限制栅极电压以保护器件。 ~ ~ * 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型考虑沟道调制效应时 1. 开启电压VTN （增强型参数） 2. 夹断电压VPN （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 饱和区曲线的斜率 4.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 4.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 4.1.5 MOSFET的主要参数 所以 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 实际中，rds一般在几十千欧到几百千欧之间。 二、交流参数 对于增强型NMOS管 有 * 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 表示栅源电压对漏源电流的控制能力-放大能力 转移特性上工作点的斜率 单位：mS（毫西）， ? S （微西） 单位vGS产生的iD大小 * 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 考虑到 则 其中 等同于BJT的gm，与交流β作用类似 与vGS或iD成正比 4.1.5 MOSFET的主要参数 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS * 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、极限参数