半导体带隙宽度测量.docx

半导体带隙宽度测量 实验目的 当通过纯的锗晶体的电流是恒定时，晶体两端的电压降是温度的函数，以此原理设定 实验来计算锗晶体电导率 s与温度的关系。 确定锗的带隙宽度 Eg 实验原理 根据欧姆定律，电流密度和电场 E的关系是” j = dE 系数d被称为电导率，由于此参数强烈依赖于材料本身性质，因此可以依其将材料按照导 电性分为导体、半导体和绝缘体。例如，对半导体固体而言，在低温下不产生电流，而在较 高温度下可测得其电导率。其电导率由温度决定的原因是半导体具有特定的电子能带结构。 对于这种价电子带，全部或部分填充在基态的最高带，导电带和下面 OOOOOOOOOOOOOOO E E 未被填充的带之间被带隙 Eg所分割。两个带之间是不被电子填充的，未掺杂的，称为禁 区。而在高温下，越来越多的电子从价电子带被激发到导电带， 它们会在价电子带留下像正 电荷一样移动的“空穴”，因此可以像电子一样形成电流。 这种由价电子带的电子激发到导电带而形成的导电性称为内传导。由于热平衡状态下, 价电子带“空穴”的数量与导电带中电子的数量相等,内传导情形下的电流密度可以写作下 价电子带“空穴”的数量与导电带中电子的数量相等, 内传导情形下的电流密度可以写作下 述式子 ji ( e)n“ 其中：电子或空穴的密度 ni 电子的平均漂移速度 Vn和穴的平均漂移速度 Vp和电场强度E成正比，有: JinE Ji nE 和 i ein i( n n和 p取正值 eni( P)E P) 对比可以导出: P) 因此有: be U 3 )2 2(2 mpkT)j h2丿 以上两式是导电带和价电子带中的有效状态密度, 3 为m正比于T2，而在高温下较为精准。 nm和m也取决于温度，在低温下，近似 P 由指数函数式，电导率可以近似表示为 Eg e2KT 0C 或者 Ins Ins i = Ins 0- Eg 2kT 在电流恒定情况下 I Jbc b：晶体的宽度，c :晶体的厚度 电压降: CASS传感器，CASSY Lab软件，可控电流发生1所示：UB1是锗晶体 CASS传感器，CASSY Lab软件，可控电流发生 1所示： UB1是锗晶体2mA横流电压降 2. logs = f 的测量值图像如图 2所示: 其中: 2mA 20mA UB1 10mm 1mm 100KUA1 273.5K V U Ea a:晶体的长度 即可测得未掺杂的锗晶体的电导率： a I bc U 实验器材 未掺杂的锗晶体，霍尔效应基础设备, 器，电源，支架，导线若干。 实验数据 1. UB1=f（ UA1）形式的测量值图像如图 其中：UA1为温度测量的输出电压, 3.计算 由斜率 A=-1810K,k 1.3807* 由斜率 A=-1810K, k 1.3807*2JK1,根据公式 A 1 Eg ln10 2k 可得 Eg 1.145*1019J 0.715eV 此为锗晶体的带隙宽度。 理论值:Eg(0K) 0.74eV, Eg(300K) 0.67eV