巨磁电阻效应及其应用.pptVIP

巨磁简介 ? 2007 年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻 ( Giant magneto resistance, 简称 GMR) 效应的发现者，法国物理学家阿尔 贝 · 费尔 (Albert Fert) 和德国物理学家彼得 · 格伦贝格尔 ( Peter Grunberg ) 。诺贝尔奖委员会说明 :“ 这是一次好奇心导致的 发现，但其随后的应用却是革命性的，因为它使计算机硬盘 的容量从几百兆，几千兆，一跃而提高几百倍，达到几百 G 乃至上千 G 。” ? 凝聚态物理研究原子，分子在构成物质时的微观结构，它们 之间的相互作用力，及其与宏观物理性质之间的联系。 ? 人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。 量子力学出现后，德国科学家海森伯 (W. Heisenberg ， 1932 年诺贝尔奖得主 ) 明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性 原子磁矩之间的量子力学交换作用，这个交换作用是短程的， 称为直接交换作用。 ? 后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具 有反铁磁有序状态，即在有序排列的磁材料中， 相邻原子因受负的交换作用，自旋为反平行排列， 如图 1 所示。则磁矩虽处于有序状态，但总的净磁 矩在不受外场作用时仍为零。这种磁有序状态称 为反铁磁性。法国科学家奈尔 (L. E. F. Neel) 因为 系统地研究反铁磁性而获 1970 年诺贝尔奖。在解 释反铁磁性时认为，化合物中的氧离子 ( 或其他非 金属离子 ) 作为中介，将最近的磁性原子的磁矩耦 合起来，这是间接交换作用。另外，在稀土金属 中也出现了磁有序，其中原子的固有磁矩来自 4f 电子壳层。相邻稀土原子的距离远大于 4f 电子壳 层直径，所以稀土金属中的传导电子担当了中介， 将相邻的稀土原子磁矩耦合起来，这就是 RKKY 型间接交换作用。 本实验介绍多层膜 GMG 效应的原理，并通过实验让学生了解几种 GMR 传感器的结构，特性，及应用领域。 实验目的 ? 了解 GMR 效应的原理 ? 测量 GMR 的磁阻特性曲线 ? 测量 GMR 模拟传感器的磁电转换特性曲线 ? 测量 GMR 开关（数字）传感器的磁电转换特性曲 线 ? 用 GMR 传感器测量电流 ? 用 GMR 梯度传感器测量齿轮的角位移，了解 GMR 转速（速度）传感器的原理 ? 通过实验了解磁记录与读出的原理 ? 实验原理 ? 根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是 不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会 改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射 运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程， 电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律 R= ? l/S 中， 把电阻率 ? 视为常数，与材料的几何尺度无关，这是因为通常材料 的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自由程 约 34nm ），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级， 只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为 0.3nm ），电子 在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率 增加的现象。 ? 电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于 外磁场两种可能取向。早在 1936 年，英国物理学家，诺贝尔奖获得 者 N.F.Mott 指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行 的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的 电子。总电流是两类自旋电流之和 ; 总电阻是两类自旋电流的并联电 阻，这就是所谓的两电流模型。 ? 在图 2 所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反 平行（反铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方 向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了 平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。 无外磁场时顶层磁场方向 顶层铁磁膜 中间导电层 底层铁磁膜 无外磁场时底层磁场方向 电 阻 \ 欧 姆 图 2 多层膜 GMR 结构图 磁场强度 / 高斯 图 3 某种 GMR 材料的磁阻特性 图 3 是图 2 结构的某种 GMR 材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电 阻逐渐减小，其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续 加大磁场，电阻不再减小，进入磁饱和区域。磁阻变化率 ΔR/R 达百分之十几，加 反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图 2 中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减 小磁