场板和场限环及其复合使用技术设计及优化.docxVIP

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2021-03-02 发布于天津
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场板和场限环终端技术的原理及优化设计摘要本文分别介绍了场板和场限环以及它们复合使用的结终端保护技术的基础理论知识针对它们各自具有的敏感参数通过优化和实验仿真实现最优耐高压设计关键词结终端技术场板场限环高压功率器件引言现代功率器件是在一硅片上并联上万个相同的单元组成各单元间表面电压大致相同但最外端终端单元与衬底间的电压却相差很大应采取一些措施用以减小表面电场提高击穿电压这种技术便称为结终端技术现代硅功率器件一般都采用浅平面结结构典型的结深值为在这么浅的结深下器件如果没有加任何终端保护措施击穿电压将

场板和场限环终端技术的原理及优化设计摘要：本文分别介绍了场板和场限环以及它们复合使用的结终端保护技术的基础理论知识, 针对它们各自具有的敏感参数，通过优化和实验仿真实现最优耐高压设计。关键词：结终端技术场板场限环高压功率器件 1 ?引言现代功率器件是在一硅片上并联上万个相同的单元组成，各单元间表面电压大致相同，但最外端（终端）单元与衬底间的电压却相差很大。应采取一些措施用以减小表面电场，提高击穿电压。这种技术便称为结终端技术 JTT（Ju nction Termin ation Tech ni que）【1】现代硅功率器件一般都采用浅平面结结构，典型的结深值为4-7um。在