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FlashSystem 9100系支持19TB FCM NVMe和MRAM Cache技术
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近期,IBM发布FlashSystem新品支持双端口NVMe闪存技术,专利FlashSystem Micro Latency Modules和新FCM(采用NVMe外形和接口的FlashCore Modules),具有与当前FlashSystem 900相同的内置无性能影响压缩硬件。
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存储开发团队在3年前开始基于NAND闪存的NVMe闪存驱动器和SCM(如3D Xpoint和Z-SSD),新一代设备的设计,结合了Texas Memory Systems 35年来的高性能存储技术核心和Spectrum Virtualize团队近30年的行业领先的存储系统积累,推出FlashSystem 9100产品,包括DRAID技术。随着闪存模块的容量比NL-SAS驱动器更大,那么,DRAID-6等功能对于闪存和HDD驱动器同样重要,类似重要的功能还有内置迁移,数据缩减,快照,复制(DR)和HA功能。
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IBM新一代的FlashSystem ?9100存储设备将利用磁阻RAM(MRAM)替代DRAM来做写缓存。MRAM是目前可用的速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一
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