第八章 材料的变形与断裂.ppt

* 冷变形后珠光体中渗碳体片的变形(a)与断裂（b） 15000× (a) (b) THE END * 当碳含量提高到约 1.2% 时，虽然渗碳体量增多，但硬而脆的二次渗碳体呈连续网状分布在晶界上，影响各晶粒之间的结合，并使晶粒的变形受阻而导致很大的应力集中，造成过早地断裂，故强度反而不及含碳0.8%的共析钢， 塑性更显著下降 在球状珠光体中，渗碳体呈球形，对铁素体变形的阻碍作用大大下降，故强度降低，塑性显著提高 共析钢经淬火加回火处理后，渗碳体呈细小微 粒弥散分布于铁素体基体上时，变形抗力大大 增加，强度显著提高 * 材料及组织 工业纯铁 共析钢（ω（C）=0.8%） ω（C）=1.2% 片状珠光体 片间距 ≈630nm 片间距 ≈250nm 片间距 ≈100nm 球状珠光体 淬火+ 350℃回火 网状渗碳体 σb/ MPa δ/% 275 47 780 15 1060 16 1310 14 580 29 1760 3.8 700 4 碳钢中渗碳体存在的情况对力学性能的影响 * 2. 弥散分布型两相合金的塑性变形与强化 1) 可变形微粒的强化机理——切过机制 位错切过第二相粒子的示意图 Ni-Cr-Al合金中位错切过　　　 粒子（透射电镜象） Ni3Al 一般粒子较小，与基体保持共格 * * * 粒子的结构往往与基体不同（至少点阵常数不 同），故当位错切过粒子时必然在其滑移面上造成原子排列的错配，需要增加作功 每个位错切过粒子，使粒子生成宽为b的表面台阶，即增加了粒子与基体间的界面面积，需要相应的能量 粒子周围的弹性应力场（由于粒子与基体间的比容差别，或保持共格或半共格结合）与位错产生交互作用，阻碍位错运动 如果粒子的弹性模量高于基体，引起位错能量和线张力升高，就阻碍位错运动 强化机制复杂，和粒子本身的性质以及和基体的联系定 * 2) 不可变形微粒的强化机理——绕过机制或 　 奥罗万（Orowan）机制 位错绕过第二相粒子示意图 α黄铜中围绕着　　　粒 子的位错环（TEM） Al2O3 一般粒子较大，与基体失去共格 * * * 位错绕过第二相粒子的阻力 (a)趋近时　(b)开始弯曲　 (c)临界状态 迫使两端被固定的长为 L 的位错段弯曲到曲率半径为L/2时所需切应力为 外加应力只有大于此应力时，位错线才能绕过去 * 强化机制简单 不可变形粒子的强化作用与粒子间距L成反比 提高粒子的体积分数→L减小 粒子的体积分数一定时，减小粒子尺寸→L减小 合金强度提高 （L不能太小，太小则位错无法绕过） * 3. 时效强化（沉淀强化） 1) 时效处理（以Al-4%Cu合金为例） 一个偷懒的实验员 Al-Cu合金相图（局部）及Al-4%Cu合金的时效处理原理 * 及 与母相共格，位错以切过机制通过粒子．随时效时间增长粒子尺寸增大，对位错阻力增大 4) 时效强化机理 Al-4%Cu合金强度随 时效时间的变化 及 与母相不共格，位错以绕过机制通过粒子．随时效时间增长粒子尺寸增大，粒子平均间距变小，对位错阻力减小 * * * 2) L 形位错源机制 * * A B b C D E C1 τ τ F D C2 D C3 E C4 D E C5 (a) L形位错ECD, 柏氏矢量为b，ED段不能滑移 ①ED的滑移面不是晶体学上允许的滑移面 ②ED的滑移面上没有引起滑移的剪切应力 ③ED被障碍物钉扎 (b) (d) (c) 位错段CD的滑移过程是绕D旋转 位错段DC1、 DC2、 DC3为已滑移区和未滑移区的边界 ED段位错称为极轴位错，DC段为扫动位错，扫动位错 在滑移过程中，类型是不断变化的 * 极轴位错 * 螺位错的交双滑移 当螺位错滑移受阻时,会转到与初始滑移面相交的另一个滑移面内继续滑移．滑移越过障碍后，又交滑移到与初始滑移面平行的滑移面内的滑移运动称为双交滑移 障碍 C B A F E D I H G J τ τ 3) 双交滑移机制 X Z Y * X Z Y C D 体心立方铁的双交滑移 位错环ESE, S、CD段为螺位错，E段为刃位错 CD段遇障碍交滑移至（101）面后，又回到原来的（101）面，形成新的位错环→F-R源 * * 合金的变形与强化 一、单相合金的变形与固溶强化 合金 两种或两种以上金属与金属或金属与非金属形成的，具有金属特性的 1. 固溶强化 与纯金属相比，固溶体的强度和硬度升高，塑性和韧性降低的现象 * 铜镍固溶体的力学性能与成分的关系 固溶强化对具体合金，表现规律不一样 对多数合金，溶解度有限，强化和溶质浓度