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模 拟 电 子 技 术 胡宴如（第 3 版）自测题 第 1 章 半导体二极管及其基本应用 1． 1 填空题 1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数 载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数 载流子是 空穴 。 3． PN 结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。 4．当温度升高时， 二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。 5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。 7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置 电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA ，正向压降为 0.65 V，该二极管的直流 电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C )。 A ．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2． PN 结形成后，空间电荷区由 ( D )构成。 A ．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而 (B)。 A ．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C )。 A ．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。 、 A ．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1． 3 是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素， 可将其改型为 P 型半导体。 ( √ ) 2．因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 ( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。 ( × ) 1． 4 分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压 UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。 解： (a)二极管正向导通，所以输出电压 U0＝(6— 0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得 UP＝ 6 V、UN＝ 10 V，UPUN，所以二极管反向偏压而截止， U0＝10 V。 (c)令 V1、V2 均断开， UN1＝ 0V、 UN2＝ 6V、 UP＝ 10V， UP— UN1Up— UN2，故 V1 优先导通后， V2 截止，所以输出电压 U0＝ 0.7 V。 2．电路如图 T1．2 所示，二极管具有理想特性，已知 ui＝ (sinωt)V ，试对应画出 ui、 u0 、i D 的波形。 解：输入电压 ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零， 即 u0＝0，而流过二极管的电流 iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值 I Dm＝ 10 V 1 kΩ＝ 10 mA；当 ui 为负半周时，二极管反偏截止， i D＝ 0，u0＝ui 为半波正弦波。因此可画出电压 u0 电流 iD 的波形如图 (b)所示。 3．稳压二极管电路如图 T1．3 所示，已知 UZ＝5 V ， IZ＝5 mA ，电压表中流过的电流忽略不计。 试求当开关 s 断开和闭合时， 电压表○V 和电流表○A1 、○A2 读数分别为多大 ? 解：当开关 S 断开， R2 支路不通， I A2＝0，此时 R1 与稳压二极管 V 相串联，因此由图可得 U1 U2 (18 5)V I A1 6.5mA I Z R1 2K 可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为 5 V。 当开关 S 闭合，令稳压二极管开路，可求得 R2 两端压降为 U R2 R2 U 1 0.5 18 3.6 U Z 2 0.5 R1 R2 故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态， 因此， R1、R2 构成串联电路，电流表 A1、A2 的读数相同，即 U 1 18V IA1 IA2 R2 （2 7.2mA R1 0.5）K 而电压表的读数，即 R2 两端压降为 3.6 V。 第 2 章 半导体三极管及其基本应用 2． 1 填空题 1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 种载流子参与导电。 2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏 ，集电结 反偏 。 截止 3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 。 4．当温度升高时，晶体管的参数β增大 ，I CBO 增大 ，导通电压 UBE 减小 。 5．某晶体管工作在放