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HOLLIAS-LEC G3 PLC在SiC（碳化硅）晶体生长炉控制系统中的应用 导语：?将HOLLiAS-LEC G3小型一体化PLC应用于SiC晶体生长炉控制系统，根据碳化硅晶体生长工艺要求，提供了一种降低成本、增加可靠性的运动控制方案。 摘 要 将HOLLiAS-LEC G3小型一体化PLC应用于SiC晶体生长炉控制系统，根据碳化硅晶体生长工艺要求，提供了一种降低成本、增加可靠性的运动控制方案。该晶体生长炉运动控制系统的全套硬件设备及软件设计工作由杭州和利时自动化有限公司完成。根据SiC的结晶工艺及其目前机械设备的特点，提出了更集中、更紧凑、更经济的优化方案。关键词 SiC晶体生长炉；SiC；控制系统；PLC1、引言 作为一种新型的半导体材料，SiC以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率／高额电子器件最重要的半导体材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。因此，SiC器件和其各类传感器已逐步成为关键器件之一，发挥着越来越重要的作用。 从20世纪80年代起，特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来，SiC器件和电路获得了快速的发展。在某些领域，如发光二极管、高频大功率和高电压器件等，SiC器件已经得到较广泛的商业应用，发展迅速。经过十几年的发展，目前SiC器件工艺已经可以制造商用器件。以Cree为代表的一批公司已经开始提供SiC器件的商业产品。 国内的研究所和高校在SiC材料生长和器件制造工艺方面也取得了可喜的成果。目前SiC因片的体生长和外延生长技术已经可以得到应用于商业生产的SiC圆片，市场上可以获得3英寸的SiC圆片，4英寸的圆片生产技术也不断研制成熟。中科院物理研究所从2000年以来投入大量人力和物力进行了SiC晶体关键生长技术的研发，凭借其多年在晶体生长的经验和实力雄厚的科研力量，目前物理所已跻身于全球几个有能力生长2英寸SiC半导体晶体的单位之一，同时已设计并制造出具有自主知识产权的SiC晶体生长炉，为规模化生产奠定了基础，并具有明显的价格优势。目前本研究组响应把科学技术转化为生产力的号召，集多方资源建立了从事SiC单晶材料生长炉规模化生产业务的公司。2、生长炉的组成 SiC晶体的生长条件苛刻，需在2100℃以上保持高真空一周以上，且对籽晶质量、固定方式等也有很高要求。物理所利用长期研究工作中积累的单晶生长经验，结合自行设计的独特的坩埚和温场，设计并制造出具有自主知识产权的SiC晶体生长炉。除炉体以外，生长炉具有大量控制设备来确保晶体生长苛刻的环境要求，这样控制设备大体上可以分为真空设备、加温设备和运动设备。 真空设备包括变频器、真空计、真空泵、智能控制仪表、真空控制器和密封设备等，真空计采集炉腔内的真空度，真空控制器根据真空度变化调节变频器频率，进而改变真空泵的运行频率，以保证炉腔内的真空度稳定；加温设备包括中频加热炉、中频电源、电流/电压传感器、可控硅和PID智能调节温控仪表等，温控仪表采集电流传感器的模拟量信号（此值与炉内温度成线性关系），根据电流值和设定值进行PID调节，输出给可控硅来调节中频电源的电压，进而保证炉内温度的稳定；运动设备包括步进电机、G3 PLC、丝杠、导轨、编码器、限位开关和触摸屏等，闭环调节籽晶杆和坩埚杆的运动，调节坩埚自转，各种参数可以设置。3、运动控制系统组成 在SiC结晶过程中，除了满足温度和真空度的条件外，另外还要保证籽晶和坩埚之间有相对的旋转和拉伸运动，而且要匀速运动，否则晶体质地满足不了要求。晶体生长过程见图-2，籽晶杆与坩埚杆反向运动，同时坩埚杆旋转。 为了实现上面的运动过程，本炉中选用了三个步进电机，两个步进电机驱动丝杠带动坩埚杆和籽晶杆的上下移动，另一个电机带动坩埚自转，再选两个编码器反馈坩埚杆和籽晶杆的位置；选用两个LM3106ACPU模块，一个用来控制坩埚杆和籽晶杆的步进电机，另一个控制坩埚自转的电机；在坩埚杆和籽晶杆的步进电机和丝杠之间选用两个两极减速器，一级为80：1，二级为100：1，当快速调节坩埚杆和籽晶杆平移位置时只使用一级减速，当慢速调节或者拉晶过程中两级都使用，那减速比为8000：1，坩埚自转选用12：1的一级减速器；选用Hetech的触摸屏，进行参数设定和显示，通过RS485口以ModBus协议连接两个PLC从站。4、工艺过程描述 系统采用触摸屏与两台PLC通讯，控制三台步进电机，其中两台步进电机为平移，一台为旋转。平移两轴需要使用编码器反馈作全部闭环控制和显示。