电阻选型：厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较.docxVIP

电阻选型：厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较 薄膜电阻由陶瓷基片上厚度为 50 ? 至 250 ? 的金属沉积层组成 （采用真空或溅 射工艺）。薄膜电阻单位面积阻值高于线绕电阻或 Bulk Metal? 金属箔电阻，而且更为便 宜。在需要高阻值而精度要求为中等水平时，薄膜电阻更为经济并节省空间。 它们具有最佳温度敏感沉积层厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能 的电阻值范围。因此，采用各种沉积层厚度可以实现不同的电阻值范围。薄膜电阻的稳定 性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不 同，因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学 / 机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此 外，改变最佳薄膜厚度还会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄 膜电阻退化率非常高。 由于金属量少，薄膜电阻在潮湿的条件下极易自蚀。浸入封装过程中，水蒸汽会 带入杂质，产生的化学腐蚀会在低压直流应用几小时内造成薄膜电阻开路。改变最佳薄膜 厚度会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄膜电阻退化率非常 高。 如前所述，受尺寸、体积和重量的影响，线绕电阻不可能采用晶片型。尽管精度低于 线绕电阻，但由于具有更高的电阻密度 （高阻值 / 小尺寸） 且成本更低，厚膜电阻得到广 泛使用。与薄膜电阻和金属箔电阻一样，厚膜电阻频响速度快，但在目前使用的电阻技术 中，其噪声最高。虽然精度低于其他技术，但我们之所以在此讨论厚膜电阻技术，是由于 其广泛应用于几乎每一种电路，包括高精密电路中精度要求不高的部分。 厚膜电阻依靠玻璃基体中粒子间的接触形成电阻。这些触点构成完整电阻，但工 作中的热应变会中断接触。由于大部分情况下并联，厚膜电阻不会开路，但阻值会随着时 间和温度持续增加。因此，与其他电阻技术相比，厚膜电阻稳定性差 （时间、温度和功 率）。 由于结构中成串的电荷运动，粒状结构还会使厚膜电阻产生很高的噪声。给定尺 寸下，电阻值越高，金属成份越少，噪声越高，稳定性越差。厚膜电阻结构中的玻璃成分 在电阻加工过程中形成玻璃相保护层，因此厚膜电阻的抗湿性高于薄膜电阻。 金属箔电阻 将具有已知和可控特性的特种金属箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成热机平衡力对 于电阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工艺光刻电阻电路。这种工艺将低 、长期稳 定性、无感抗、无感应、低电容、快速热稳定性和低噪声等重要特性结合在一种电阻技术 中。 这些功能有助于提高系统稳定性和可靠性，精度、稳定性和速度之间不必相互妥 协。为获得精确电阻值，大金属箔晶片电阻可通过有选择地消除内在“短板”进行修整。 当需要按已知增量加大电阻时，可以切割标记的区域 （图 2），逐步少量提高电阻。 图 2 合金特性及其与基片之间的热机平衡力形成的标准温度系数，在 0 °C至+ 60 ° C 范围内为 ± 1 ppm/ ° C （ Z 箔为 ppm/ ° C） （图 3）。 图 3 采用平箔时，并联电路设计可降低阻抗，电阻最大总阻抗为 uH 。最大电容为 pF。 1-k 电阻设置时间在 100 MHZ 以下小于 1 ns 。上升时间取决于电阻值，但较高和较 低电阻值相对于中间值仅略有下降。没有振铃噪声对于高速切换电路是十分重要的，例如 信号转换。