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化学合成半导体纳米孔石墨烯 导语：?石墨烯由于具有高的电荷载流子迁移率，在晶体管等电子器件领域具有重要应用前景，有望实现更快的计算能力。 石墨烯由于具有高的电荷载流子迁移率，在晶体管等电子器件领域具有重要应用前景，有望实现更快的计算能力。然而，石墨烯没有带宽，导致石墨烯电子器件在任何闸极电压下都依然保持高导电性，不能完全关闭，从而限制了其在电子器件的应用。因此，科研工作者长期以来都致力于如何使石墨烯半导体化。 为了使石墨烯半导体化，目前通用的策略是制备石墨烯纳米带或者纳米孔结构，理论计算表明，通过对形貌、宽度以及边界结构等参数的调控，石墨烯纳米带或纳米孔石墨烯不仅具有可调的能带结构，还可以得到许多其他的新奇的物理性质。 图1.纳米带或纳米孔石墨烯的两类合成方法 合成纳米带或纳米孔石墨烯的方法，较多地采用自上而下的物理法。以石墨烯为原料，通过电子束刻蚀等方法直接制得。这种方法制得的纳米带或者纳米孔有一个不可避免的缺陷，就是很难实现原子结构的精确度。纳米孔或纳米带的特征此处不能达到2nm的尺寸精度，开放带宽难以实现1eV，不能和传统的Si半导体材料争高下！ 为了实现原子结构精确的纳米孔或纳米带石墨烯，科研工作者发明了一种自下而上的化学分子聚合合成策略。2010年，Cai等人以DBBA分子为前驱体，在Au(111)单晶表面，通过超高真空加热聚合，制备得到超窄的石墨烯纳米带。 图2.化学合成石墨烯纳米带 JinmingCai,KlausMüllen,RomanFaseletal.Atomicallyprecisebottom-upfabricationofgraphenenanoribbons.Nature2010,466,470–473. 即便如此，问题依然存在：一方面，石墨烯纳米带长度不够（50nm），导致器件表征困难；另一方面，纳米孔石墨烯的化学法精确合成仍然有待突破。 有鉴于此，西班牙加泰罗尼亚纳米科技研究所AitorMugarza,CésarMoreno和西班牙圣迭戈·德孔波斯代拉大学DiegoPe?a团队合作，报道了一种化学分子前驱体聚合制备1nm孔半导体石墨烯的新策略。 图3.化学合成纳米孔石墨烯 研究人员采用类似石墨烯纳米带的合成策略，以DP-DBBA为分子前驱体，在Au(111)单晶表面。在200℃时分子开始聚合，在400℃左右开始形成纳米带。和之前的石墨烯纳米带不一样的是，这种石墨烯纳米带结构并不是规则的直线型，因此，当进一步进行450℃的退火操作时，石墨烯纳米带并没有继续变宽形成更宽的纳米带，而是聚合形成纳米孔结构的石墨烯。 图4.纳米孔石墨烯的合成表征 研究表明，这种纳米孔石墨烯孔径可达到1nm尺度，高度各向异性的能带宽度达到1eV。值得一提的是，这种半导体化的纳米孔石墨烯具有大面积的导电晶畴区域，基于此制备的晶体管具有高开关比和约75%的电学测试收率。 图5.纳米孔石墨烯的电学性能 图6.纳米孔石墨烯的传递性能 总之，这项研究为半导体化石墨烯的精确合成提供了全新的方向，在分离、传感、DNA测序等领域将带来更多的机遇！