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恩智浦推出超紧凑型电源管理解决方案 导语：?恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.（NASDAQ:NXPI）今日宣布推出采用DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。 　　恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.(NASDAQ:NXPI)今日宣布推出采用DFN2020-6(SOT1118)无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)无铅塑料封装占位面积仅有2x2mm，高度仅为0.65mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。 　　作为业界首款集成低VCE(sat)BISS晶体管和TrenchMOSFET的二合一型产品，PBSM5240PF不但能节省PCB板空间，而且具有卓越的电气性能。 　　传统的小信号晶体管(BISS)/MOSFET解决方案通常需要采用两个封装，相比之下PBSM5240PF可减少超过50%的电路板占用面积，使封装高度降低10%以上。此外，DFN2020-6(SOT1118)封装还集成了一个散热器，令散热性能提高了25%，从而可支持高至2A的电流，并因此降低了能耗。 　　PBSM5240PF可用作便携式电池充电电路的一部分，适用于手机、MP3播放器以及其他便携式设备。它也可被用于那些要求最佳散热性能、较高电流支持和占用面积小的负载开关或电池驱动设备中。 　　积极评价 　　恩智浦产品经理JoachimStange表示：“对于便携式设备领域来说，BISS/MOSFET解决方案的独特之处和魅力所在就是其极小的占位面积、出色的电气性能、散热性能以及无铅封装。这款集成式的封装产品最高可支持40V的电压，非常适合当今日益纤薄化的小型移动设备使用。而对于这类设备，高度和电路板空间是关键的设计考虑因素，每一毫米都至关重要。” 　　技术参数 　　PBSM5240PF小信号晶体管（BISS）和N沟道TrenchMOSFET的主要特性包括： 　　集电极大电流能力（IC和ICM） 　　集电极大电流下拥有高电流增益(hFE) 　　产生热量小，能效高 　　极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat） 　　封装占位仅为2x2mm，可减少印刷电路板尺寸 　　上市时间 　　恩智浦PBSM5240PF突破性小信号(BISS)晶体管和N通道TrenchMOSFET即将通过全球主要经销商供货。 　　链接 　　恩智浦PBSM5240PFBISS/MOSFET解决方案的介绍 　　PBSM5240PF数据手册 　　恩智浦全系列低V_CEsat(BISS)晶体管的更多信息 　　恩智浦MOSFET的更多信息 　　关于恩智浦半导体 　　恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.(Nasdaq:NXPI)以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（HighPerformanceMixedSignal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2010年公司营业额达到44亿美元。更多恩智浦相关信息，请登录公司官方网站查询。