半导体材料及IC工艺原理教学大纲.docVIP

物理科学与技术学院 本科课程教学大纲 PAGE PAGE 1 注：微电子 必修课 《半导体材料及IC工艺原理》教学大纲 课程代码： 英文名称： Semiconductor Materials Principles of IC Processing 课程类别： 必修课； 总学时： 64学时； 开课时间： 春季； 计划授课对象： 微电子学本科专业学生（三年级）；非微电子学本科毕业的相关电子类研究生； 先修课： 大学物理、微电子器件基础； 主要教材： 《半导体材料》讲义，游志朴 编著，（原书在台湾出版）； 《The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication》, Stephen A. Campbell, Oxford（电子工业出版社购入版权）, 2001； 建议参考书： 《半导体材料》，杨树人 等编著，科学出版社，2003； 《材料科学与技术丛书—半导体工艺》， K. A. 杰克逊 等 主编，科学出版社，1999； 《Silicon VLSI Technology—Fundamentals, Practice and Modeling》，Lame D. Plummer et al, Pearson Education , 2000； 《Silicon Processing》，Stanley Wolf and Richard N. Tauber，Lattice Press，2000； 《Semiconductor Manufacturing Technology》，Michael Quirk, Julian Serda, Prentice Hall（科学出版社购入版权）, 2001； 本课程包括两个部分。第一部分介绍主要的半导体材料，基本性质、在器件制造中的应用、材料的生长和加工、材料的测试和评价。第二部分介绍超大规模集成电路制造的工艺流程，包括构成流程的各个基本工艺的原理、技术要点、检测方法和工艺质量评价。该课程不仅是工艺工程师的入门知识，也是设计工程师应掌握的基本知识。 第一篇 第一章： IC平面工艺及发展概述（2学时） 简要介绍半导体材料及器件的发展历史，现状。特别是强调现代先进工艺技术和得以发展的特点；工艺分析测试技术、工艺过程质量控制、可靠性的重要性，这一问题将贯穿整个课程。简要介绍半导体器件的基本工艺流程工艺，以便对各工艺技术在不同器件中的应用有所了解。 第二章：半导体材料的基本性质（4学时） 了解多种常见半导体材料（重点是Si、GaAs、SiC和GaN）的基本特性和用途。 —掌握常见材料的基本物理和化学性质。 —结合器件物理掌握器件对材料的要求。 —掌握材料参数的测量方法。 第三章：Si单晶的生长与加工（6学时） —掌握晶体生长过程中的相变（相图）、固溶度与分凝等物理概念。 —了解Si材料的化学提纯过程。 —掌握单晶Si的直拉法（Cz-Si）和区熔法（Fz-Si）生长的基本工艺特点；杂质（施主、受主、O和C）、缺陷和均匀性的控制方法，及其改进工艺（MCz-Si）的原理。 —掌握上述Si材料在器件中应用；了解NTD-Si的制备和应用。 —了解化合物半导体（GaAs为主）的生长技术和特点。 —了解材料晶片的加工技术。 —掌握Si晶片的杂质吸除技术的原理和方法。 第二篇 第一章：IC制造中的超净和硅片清洁技术（2学时） —了解IC工艺对超净环境的要求，了解超净环境的获得方法、等级的意义和评价指标。 —了解IC工艺对化学试剂、气体、去离子水以及容器的要求。 第一单元：图形加工技术 第二章：图形转移技术（光刻技术）（4学时） —掌握光刻工艺的基本流程。 —了解光刻胶及正负胶基本性质和特点。 —掌握光刻技术的工艺控制和质量检测方法。 —了解提高光刻精度的先进方法。 第三章：图形刻蚀技术（3学时） —了解湿法和干法刻蚀的原理和主要方法。 —掌握Si3N4,SiO2，多晶Si及金属的湿法和干法刻蚀。 —了解终点检测及损伤。 第二单元：热处理和局域掺杂技术 第四章：热氧化技术（6学时） —掌握SiO2的结构及性质。 —掌握SiO2薄膜在器件和器件工艺中的应用。 —掌握SiO2薄膜的热氧化生长工艺。 —掌握Si－SiO2界面性质及测量。 第五章：扩散掺杂技术（5学时） —掌握热扩散方程及其两种边界条件下的解。 —掌握扩散常规工艺的控制方法及影响扩散的一些因素。