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模拟电子技术基础
第1章常用半导体器件
选择合适答案填入空内。
在本征半导体中加入(A)元素可形成N型半导体,加入(C)元素可形成P型半导体。
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)。
A.增大
B.
不变
C.
减小
(3)
工作在放大区的某三极管,如果当
I
B从12
uA
增大到22
uA
时,
I
C从l
mA
变为2
,那么它
mA
的β约为(C)。
(4)
当场效应管的漏极直流电流
I
D从2
变为4
时,它的低频跨导
m将(A)
。
mA
mA
g
A.增大;
B.
不变;
C.
减小
电路如图所示,已知ui
10sin
t(V),试画出ui
与uo
的波形。设二极管导通电压可忽略
不计。
图 解图
解:ui与uo的波形如解图所示。
电路如图所示,已知
ui
5sint(V),二极管导通电压
U
ui与uo的波形图,并
D=。试画出
标出幅值。
图
解图
电路如图所示,
二极管导通电压UD=,常温下UT
26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui
为正弦波,有效值为
10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?
解:二极管的直流电流
ID
(VUD)/R
2.6mA
其动态电阻:
rD
UT/ID10
图
Id
Ui
/
rD
1
故动态电流的有效值:
现有两只稳压管,稳压值分别是
6
和8,正向导通电压为。试问:
V
V
若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?
若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:;14V;;。
并联相接可得2种:;6V。
已知图所示电路中稳压管的稳定电压 UZ 6V,最小稳定电流
IZmin
5mA
,最大稳定电流
IZmax
25mA
。
(1)
分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压
UO的值;
(2)
若
UI
V
35时负载开路,则会出现什么现象?
为什么?
解:(1)只有当加在稳压管两端的
电压大于其稳压值时,输出电压才为 6V。
∴U
I
V时,U
O
RL
U
I
3.3V;
10
RL
R
UI15V
时,UO
RL
UI5V;
RRL
UI
35V
时,
UO
RL
UI
,∴U
O
U
Z
V。
R
RL
11.7VUZ
6
(2)当负载开路时,
IZ
UI
UZ
29
mAIZmax25
mA,故稳压管将被烧毁。
R
在图所示电路中,发光二极管导通电压
UD= ,正向电流在 5~15mA时才能正常工作。
试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?
R的取值范围是多少?
解:(1)S闭合。
R的范围为:
Rmin (V UD)/IDmax 233
图
现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如 图所示。分别求另一电极的电流,标出其方向,
并在圆圈中画出管子,且分别求出它们的电流放大系数 β。
(a) (b) (a) (b)
图 解图
解:答案如解图所示。
1
/10
A
100和
b
5mA/100A50
放大倍数分别为
amA
测得放大电路中六只晶体管的直流电位如
图所示。在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是
锗管。
图
解:如解图。
解图
电路如图所示,晶体管导通时
UBE
0.7
,β。试分析
VBB
为
、
、
三种情况下
T
V
=50
0V
1V3V
的工作状态及输出电压
uO的值。
解:(1)当VBB 0时,T截止,uO 12V。
当VBB1V时,因为
IBQ
VBB
UBEQ
60
A
Rb
ICQ
IBQ
3
mA
uO
VCC
9
图
ICQRcV
所以T处于放大状态。
VBBV
VBB
UBEQ
460A
(3)
当
3
时,因为
Rb
,
ICQ
IBQ
23mA?
ICS
VCC
UCES
11.3mA,所以T处于饱和状态。
Rc
电路如图所示,晶体管的
β=50,
UBE
V
UCES
0.1V
;稳压管的稳定
0.2
,饱和管压降
电压
UZ
V,
正向导通电压
UD
0.5V
。试问:当
uI
0V
时
uO
?;当
uI
5V
时
5
uO
?
解:当
uI
V
0
时,晶体管截止,稳压管击穿,
uO
UZ
5V。
当
uI
V
5
时,晶体管饱和,
uO
0.1V。
因为:
图
uIUBE
480
A,IC
IB24mA,UECVCCICRc0
IB
Rb
分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)
(d) (e)
图
解:(a)
可能;(b)
可能;(c)
不能;(d)
不能,T
的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能。
已知放大电路中一只 N沟道场效应管三个极① 、②、③的电位分别为 4V、8V、12V,管
子工作在恒流区。
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