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精品文档 精品文档 PAGE PAGE14 精品文档 PAGE 模拟电子技术应用（二）复习题及答案 1.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为 ，试判断VD是否导通，并计算 UO的值。 10k 10k VD VD Uo5V 1k Uo 5V 1k 3V (a) (b) （a）设VD断开，求得O－，小于硅二极管的死区电压，所以 VD截止，O－ U U b）VD导通，UO＝ 计算下图电路中二极管上流过的电流ID。设二极管的正向导通压降为，反向电流等于零。 3k 2k 2k 3k 5V ID 5V 10V ID 5V VD VD (a) (b) （a）UD 1V，VD截止，ID 0 （b）ID 100.7 50.7mA 2.75mA 2 3 3.电路如图所示，VD为理想二极管，画出各电路的电压传输特性 (uO f(uI)曲线），并标明转折点坐标值。 1k uI VD uI VD R uo uo 3V 3V (a) (b) uO/V uO/V 3 －3 uI/V uI/V 0 0 3 3 (a) (b) 4. 已知电路中， ui 5Sin t(V)，二极管正向压降为，画出各电路中 uO1、uO2波形，并注明其电压幅值。 1k ui/V 5 t uO1 ui VD 1k 0 π 2π －5 (a) uO1 1k t 0 ui VD1 VD2 uO2 3V 3V uO2 (b) t 0 uO1/V 0.7 t 0 π 2π －2.5 uO2/V 3.7 t 0 －3.7 π 2π 5. 在如图所示电路中， 已知稳压管  VDZ1的稳定电压  UZ1＝，  VD  Z2的稳定电压  UZ2＝，它们的正向导通电压  UD均为， UI和  R的取值合理，  UI的实际极性和  UO1～UO4的假设极性如图中所标注。填空： UO1＝  V  ，UO2＝  V  ，UO3＝  V  ，UO4＝  V  。 R R VDZ1 VDZ1 UI UO1UI UO2 VDZ2 VDZ2 R R UI VDZ1 VDZ2 UO3 UI VDZ1 VDZ2 UO4 14， 7 ， －， － 从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。 用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 （A．放大，  B ．饱和 ，  C ．截止 ，  D ．损坏） ⑴  ；⑵  ；⑶  ；⑷  ；⑸  。 +9V －12V 0V +2.3V +12V +3.3V 硅 －6.3V +0.7V 硅 +3V 硅 0V 锗 锗 +3V －6V －6V +2.5V －0.7V (1) (2) (3) (4) (5) （1）C （2）A （3）C （4）B （5）D 从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。 用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 （A．放大， B ．饱和， C ．截止， D ．损坏） ⑴ ；⑵ ；⑶ ；⑷ ；⑸ 。 +6V  －12V  －8.5V  +12V  －5.6V +2V －6.7V －7.8V +3V －6.3V －0.7V －6V －3V +3.7V －6V (1) (2) (3) (4) (5) （1）D （2）A （3）A （4）C （5〕B 已知图示电路中晶体管β＝50，rbb100，UBEQ＝。判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。 1． Rb＝10k ， c 2 ．Rb＝510 k c R＝1k R＝k 如果工作在线性放大状态， 则进一步计算静态工作点I I U CEQ以及电压放大倍数 Au 、输入电阻 Ri、 输出电阻Ro（设电容 BQ、CQ、 C 、C对交流信号可视为短路）。 1 2 1．饱和 2 ．线性放大 Rc +VCC(+12V) C2 VCC UBE 22μA Rb IBQ ICQβIBQ 1.1mA C1 Rb uo ui UCEQ VCC ICQRc 6.4V rbe rbb 1 β 26 1.27k Au βRc 200 rbe IEQ Ri =R rbe Ro 已知图示电路中晶体管的β＝80，rbb 300 ，U ＝，电容的容量足够大，对交流信 b BEQ 号可视为短路。 (1) 要求静态电流 ICQ＝1mA，估算Re1的值； +VCC(+12V) (2) 求电压放大倍数 Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。 Rb2 Rc C2 62k 3k 1．UB VCC Rb1 2.93V C1 Rb1 Rb2 Re2 Rb1 RL UB-UBEQ ui 51 uo10k Re1 Re2 2.1k 20k IEQ Re1 Ce βUT Ri Ro 2．rbe rbb 1 2.38k IEQ