常见存储器芯片资料(简版).docxVIP

2716 2716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片 封装:双列直插式封装， 24个引脚 基本结构:带有浮动栅的 MoS管 ■ ! IJteJCh 虹图 图3r再乱姑总IiULeK Eit%J|i = ■ ! IJteJCh 虹图 图 3 r 再乱姑总IiU LeK Eit %J|i = 封装：直插24脚, 引脚功能: AIO?A0 :地址信号 0700 :双向数据信号输入输出引脚; CE：片选 0E:数据输出允许; VCC : +5v 电源, VPP : +25V 电源; GND :地 2716读时序: Wil. CE OE 输岀 2732 相较于2716 : Intel2716存储器芯片的存储阵列由 4KX8个带有浮动栅的MoS管构 成，共可保存4KX8位 二进制信息 谿mil 24J VCC J AB 23l. A= 22J AM 21° GVPP 封装：直插24脚 引脚功能： AOAll地址 E片选 G/VPP输出允许/+25v电源 DQO?7数据双向 輕匸 AIL AQ L Be)O DalC DQ2 !vssl vss地 VCC+5v电源2732读时序 Read Mode Timing Diagram 爰一 TT AU A- 3 AB A? Af 1 =J =□ =1 29 77 2G A27020AL ID ]VQ CE 23 22 31 12 13 一一一 一 T: 二 % vcc取 fAB必必A115CA10CE畑 2 畑畑岭 ,1tJriL』 r n c z/ t -7 00 1/ 4 s 3 - - z 2 2 7 2 7 匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚 E ::??: : ??网 A(fA17地址线 1/00?7数据输入输岀 CE片选 0E输出允许 PGM编程选通 VCC+5v电源 VPP+25v 电源 GND地 27020读时序： Read Mode Switching Waveforms ADDRESStcrc ADDRESS tcrc 27040与之类似 RAM——6116 6116是2K*8位静态随机存储器芯片，采用CMOS工艺制造，单一 +5V供电，额定功耗160mW, 典型存取时间90/120ns. 封装：24线双列直插式封装 引脚功 Ao-Alo 为地址线； CE是片选线； OE是读允许线; WE是写允许线. 操作方式： 22 23 JI CE OE WE 方式 D0-D7 H EzJ 未选中 高阻 L L H 读 DoUt L H L 写 Din ] L L L 写 Din RAM — 6264 造，单一 +5V供电，最大功耗450mW,典型存 6264是8K*8位静态随机存储器芯片，采用 70/100/120ns, 封装：直插式28脚 引脚功能： A0A12：地址线 WE写允许 0E读允许 z 3 26 4 25 AS 5 24 6 u 23 As 7 甫 22 d m 21 Ai 9 20 Aq 0 19 0匸 11 18 心二 12 17 l/03 二 13 16 GND 14 15 X 2 1 oil f 4 vcWEcsAeA9Ai0EA1csl/0l/0l/0l/0l/0 □nnnnnnnDnnnnn 取 CMoS工艺制| cs片选 NC — NoConn ection i/ori/08数据输入输出 操作模式 模式 CS1 CS2 0E WE 1/018 备用 H X X X 高阻 X L X X 高阻 禁止输出 L H H H 高阻 读 L H L H DoUT 写 L H X L DIN 常见存储器型号规格 类型容量 SRAM EPROM EEPROM FLASH NVSRAM 双口 RAM 2KX8 6116 2716 2816 DS1213B 7132/7136 4KX8 2732 DS1213B 8KX8 6264 2764 2864 DS1213B 16KX8 27128 32KX8 62256 27256 28256 28F256 DSI213D 64KX8 27512 28512 28F512 128KX8 628128 27010 28010 28F0I0 DS1213D 256 KX 8 628256 27020 28020 28F020 512KX8 62R512 27 (UO 2R040 2RF040 DS1650 1 M X8 6281000 27080 28080 28F080