模电学习考研资料...pdf

第一章 第一节 1 半导体三大特性 搀杂特性 热敏特性 光敏特性 2 本征半导体 是纯净（无杂质）的半导体。 3 载流子 (Carrier) 指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。 有温度环境就有载流子。 绝对零度（ -2730C ）时晶体中无自由电子。 4 本征激发 （光照、加温度），会成对产生电子空穴对 自由电子 (Free Electron) 空穴 (Hole) 5 N 型半导体 ：电子型半导体 多子 (Majority) ：自由电子 (Free Electron) 少子 (Minority) ：空 穴 (Hole) 自由电子数 = 空 穴 数 + 施主杂质数 6 P 型半导体 ：空穴型半导体 多子 (Majority) ：空 穴 (Hole) 少子 (Minority ：自由电子 (Free ) 空 穴 数 = 自由电子数 + 受主杂质数 7 对 N 型半导体 Nn Pn· = ni 平方 - 1 - 其中： nn 为多子 , Pn 为少子 ni2 为本征载流子浓度 同理， P 型半导体 8 结论 杂质半导体 少子浓度 – 主要由 本征激发（ Ni2 ）决定 的（和温度有关） 杂质半导体 多子浓度 – 由搀杂浓度决定（是固定的） 9 本征半导体中电流 半导体中有两种电流 – 漂移电流 (Drift Current) – 是由电场力引起的载流子定向运动 – I =In + Ip 其中 In 为电子流， Ip 为空穴流 In 和 Ip 的方向是一致的。 – 扩散电流 (Diffusion Current) – 是由于载流子浓度不均匀（浓度梯度）所造成的。 – 由上式可见扩散电流正比于浓度分布线上某点处的斜率 dn(x)/dx 或 dp(x)/dx 。 – 扩散电流与浓度本身无关。 第二节 PN 结 1 PN 结是 指使用半导体工艺使 N 型和 P 型半导体 结合处所形成的 特殊结构。 PN 结是构成半导体器件的 核心结构。 空间电荷区 耗尽层 自建电场 势垒区 阻挡层。 2 PN 结形成 “三步曲 ” （1）多数载流子的 扩散运动。 （2 ）空间电荷区和少数载流子的 漂移运动。 （3）扩散运动与漂移运动的 动态平衡。 3 势垒区 PN 结建立在 N 型和 P 型半导体的结合处， 由于扩散运动， 失空穴和电子后形成不能移动的负离子和正离 子状态，这个区域称为空间电荷区（耗尽层） 。 PN 结又称为 – 自建电场、 – 阻挡层。 4 当外加电压时， PN 结的结构将发生变化 （空间电荷区的宽窄变化） 正向偏置 - 2 - P 接电源正， N 接电源负 ? 外电场与内电场方向相反（削弱内电场） ，使 PN 结变窄。 ? 扩散运动＞漂移运动。 ? 称为 “正向导通 ”。 反向偏置 P 接电源负， N 接电源正