半导体器件物理施敏.pptxVIP

第6章MOSFET及相关器件;相关主题;基本FET结构; 6.1 MOS二极管; 6.1.1 理想MOS二极管; ; 半导体表面三种状态; ;;表面电势ψs： ψs0 空穴积累； ψs=0 平带情况； ψBψs0 空穴耗尽； ψs = ψB 禁带中心，ns=np=ni； ψs ψB 反型（ ψs 2ψB 时，强反型）； 强反型时，表面耗尽区的宽度达到最大值： Qs=Qn+Qsc=Qn-qNAWm;理想MOS二极管的C-V曲线;理想MOS二极管的C-V曲线;6.1.2 实际MOS二极管;一、功函数差;金属与半导体功函数差对MOS结构C-V特性的影响; 二、界面陷阱与氧化层电荷;实际MOS二极管的C-V曲线;6.1.3 CCD器件;6.2 MOSFET基本原理;NMOS晶体管基本结构与电路符号;PMOS晶体管基本结构与电路符号;工作方式——线性区;工作方式——饱和区; 过饱和;推导基本MOSFET特性;推导基本MOSFET特性;沟道放大图（线性区）;理想MOSFET的电流电压方程式：;长沟MOSFET的输出特性;饱和区：;转移特性曲线;举例：对一n型沟道n型多晶硅-SiO2-Si的MOSFET，其栅极氧化层厚度为8nm，NA=1017cm-3，VG=3V，计算饱和电压。;亚阈值区;亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势;6.2.2 MOSFET种类;6.2.3 阈值电压控制;6.2.4 MOSFET的最高工作频率;6.2.5 MOSFET的二阶效应;MOS管的开启电压VT及体效应;MOS管体效应的Pspice仿真结果;沟道调制效应;MOSFET的沟道调制效应;6.2.6 MOSFET的温度特性;6.2.7 MOSFET交流小信号模型;MOSFET高频交流小信号模型;6.3 MOSFET按比例缩小;线性区中的阈值电压下跌;DIBL效应(drain-induced barrier lowering);本体穿通（punch-through ）;狭沟道效应;6.3.2 按比例缩小规范;6.3.2 按比例缩小规范;按CV理论缩小的器件和电路性能;按QCV理论缩小的器件和电路性能;6.4 CMOS与BiCMOS; CMOS反相器;CMOS反相器;Latch-up (闩锁效应);Latch-up (闩锁效应);CMOS开关（传输门）;BiCMOS;6.5 绝缘层上MOSFET（SOI）;半导体存储器：挥发性与非挥发性存储器。 DRAM、SRAM是挥发性存储器； 非挥发性存储器被广泛应用在EPROM、EEPROM、flash等IC中;DRAM存储单元基本结构;SRAM存储单元结构图;SIMOS管的结构和符号;EPROM存储器结构;Flotox管的结构和符号;E2PROM的存储单元;E2PROM的存储单元;快闪存储器存储单元;Flash Memory;作 业 1;作 业 2;作 业 3; 半导体表面三种状态;实际MOS二极管的C-V曲线;MOS管的开启电压VT及体效应;本体穿通（punch-through ）;6.4 CMOS与BiCMOS;CMOS反相器;Latch-up (闩锁效应);半导体存储器：挥发性与非挥发性存储器。 DRAM、SRAM是挥发性存储器； 非挥发性存储器被广泛应用在EPROM、EEPROM、flash等IC中