半导体制造工艺_04光刻(上) .pptxVIP

光刻的作用和目的 图形的产生和布局; 光刻的定义 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂; 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。 ;光刻的要求;1. 高分辨率 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最???光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。 随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。 通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。;2.高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量,要求光刻周期越短越好，这就要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。;4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量;光学图形曝光－洁净室;35％的成本来自于光刻工艺;IC掩模版;空间图像;掩膜版制作;;掩模版制作过程;成品率Y:;光刻机;三种硅片曝光模式及系统;步进投影式光刻机原理图;DSW－direct step on wafer;接触式和接近式——近场衍射（Fresnel） 像平面靠近孔径，二者之间无镜头系统;接触和接近式;对遮蔽式曝光，最小线宽（临界尺寸）可用下式表示;投影式——远场衍射（Fraunhofer） 像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头;瑞利给出恰可分辨两个物点的判据：;两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据):;由于有较高的光强度与稳定度，高压汞灯被广泛用作曝光光源。;投影式;?为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：;;光刻胶; 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面 负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面。 ;負光阻;汞灯436nm (g线)和365nm (i线)光刻胶的组成 （正胶－positive photoresist, DNQ）;负胶 (Negative Optical Photoresist) ;负胶的组成部分： a) 基底：合成环化橡胶树脂 (cyclized synthetic rubber risin) 对光照不敏感，但在有机溶剂如甲苯和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 双芳化基 (bis-arylazide) 当光照后，产生交联的三维分子网络，使光刻胶在显影液中具有不溶性。 c)溶剂：芳香族化合物 (aromatic) ;36;光刻胶的表征参数： 1、对比度：胶区分亮区和暗区的能力;(1)曝光、显影后残存抗蚀剂的百分率与曝光能量有关。值得注意的是， 即使未被曝光，少量抗蚀剂也会溶解。 (2)当曝光能量增加，抗蚀剂的溶解度也会增加，直到阈值能量ET时，抗 蚀剂完全溶解。 (3)正抗蚀剂的灵敏度定义为曝光区域抗蚀剂完全溶解时所需的能量。除 ET外，另一称为反差比（γ）参数也用来表征抗蚀剂。;本节课主要内容;1、Genius only means hard-working all ones life. (Mendeleyer, Russian Chemist)? 天才只意味着终身不懈的努力。20.8.58.5.202011:0311:03:10Aug-2011:03 2、Our destiny offers not only the cup of despair, but the chalice of opportunity. (Richard Nixon, American President )命运给予我们的不是失望之酒，而是机会之杯。二〇二〇年八月五日2020年8月5日星期三 3、Patience is bitter, but its fruit is sweet. (Jean Jacques Rousseau , French thinker)忍耐是痛苦的，但它的果实是甜蜜的。11:038.5.202011:038.5.202011:0311:03:108.5.202011:038.5.2020 4、All that you do, do with your might; things