发光二极管光取出原理及方法.pptVIP

2 发光二极管光取出原理及方法;2.1 发光二极管光取出原理;光在产生和辐射过程中的损失;影响光取出效率的三个原因 1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（window layer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（Current Blocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面 2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时，一部分光会被反射回去。菲涅尔损失系数为 若n1=3.4,n2=1,则 ，也就是70.2％的光可以投射半导体与空气的界面 ;3，全反射损失：只有小于临界角内的光可以完全被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。 解决措施：一般情况下用环氧树脂做成圆顶（Semispherical Dome），放在LED芯片上，可以大大增加临界角，但是制造成本同时增加;一种经济的减少全反射的方法是将p-n结用环氧树脂包封起来，利用模具可以很方便地浇铸成半球形封帽。如下图所示，目前工业化生产地单体发光二极管多采用类似结构;2.2 增加光取出率的方法;惠普公司采用4个50nm厚的AlInGaN/ GaN量子阱，发现其发光效率要比在同等厚度下的非量子阱活性层效率高30％。 下图是南昌大学教育部发光材料国家重点实验室制备的InGaN/ GaN