冷氢化技术综述.docVIP

冷氢化技术综述 采用多晶硅工厂的副产物四氯化硅(STC)作原料，将其转化为 三氯氢硅(TCS),然后将三氯氢硅通过歧化反应生产硅烷。 80年代初，为得到低成本、高纯度的多晶硅，又进行了一系列 的研究开发。其中高压低温氢化工艺(以下简称冷氢化)就是一项能 耗最低、成本最小的四氯化硅《STC》三氯氢硅《TCS》的工艺技术。90 年代，为了提高多晶硅产品纯度，满足电子工业对多晶硅质量的要求, 开发了高温低压STC氢化工艺，这两种工艺的比较如下： 项目名称 高温低压热氢化 低温高压冷氢化 操作压力：Bar 6 15-35 操作温度：°C 1250 500?550 主要反应 SiCL+H^SiHCL+HCl Si + 3HCl = SiHCl3+H2 3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl3 优点 汽相反应；不需催化剂；连续 运行；装置单一、占地少；易 操作和控制，维修量小；氢化 反应不加硅粉，无硼磷及金属 杂质带入，后续的精锢提纯工 艺较简单，提纯工作量小； 流化床反应；三氯氢硅合成与 四氯化硅氢化可在同一装置内 进行，可节省投资；反应温度 低、电耗低，单耗指标为 ^lkWh/kg-TCS； STC转化率为20%以上；  STC转化率一般为（17%?24%） 缺点 反应温度高、电耗高，单耗指 标为 W2. 2?3kWh/kg-TCS； 加热片为易耗材料，运行费用 较高，有碳污染的可能性。 气固反应，操作压力较高，对 设备的密封要求很高，维修工 作量大；操作系统较复杂，； 氢化反应加入硅粉，有硼磷及 金属杂质带入，提纯工作量大, 增加精馄提纯费用（如蒸汽、 电力、冷却水等消耗）;需硅 粉干燥及输送系统； 需加入催化剂。 综上比较，二者各有优缺点，但低温高压冷氢化工艺耗电量低，在节 能减排、降低成本方面具有一定的优势。国内多晶硅新建及改、扩建 单位可以根据项目的具体情况、自身的优势及喜好，择优选定。 冷氢化主耍反应式如下： Si+ 2H2 + 3SiCl4 〈皿〉4SiHCl3 （主反应） SiCl1+Si+2H2 二 2SiH2Cl2 （副反应） 2S1HCI3 = SiCh+SiHzCb （副反应） 典型的冷氢化装置组成如下: ? Jffiir J—一一 J ? Jffiir J—一一 J J 一个完整的冷氢化系统大致包括以下6大部分： 1、 技术经济指标：包括，1）金属硅、催化剂、补充氢气、STC、 电力的消耗，2）产品质量指标，3） STC转化率，4）公用工程（氮 气、冷却水、冷媒、蒸汽及导热油）； 2、 主装置：包括，1）流化床反应器、2）急冷淋洗器，3）淋 洗残液的处理系统，4）气提，5）加热及换热装置； 3、 原料系统：包括，1）硅粉输送，2）催化剂选用及制备，3） 原料气体的加热装置； 4、 粗分离系统：包括，1）脱轻，2）脱重，3） TCS分离； 5、 热能回收系统，包括：1）流化床出丨I氢化气的热量回收，2） 急冷塔出口淋洗气的热能冋收，氯硅烷物流热量综合利用；热能冋收 系统，包括：1）流化床出口氢化气的热量回收，2）急冷塔出丨1淋洗 气的热能回收； 6、物料处置及回收系统：包括，1）淋洗残液中的氯硅烷回收, 2）脱重塔残液屮的氯硅烷冋收，3）轻组分中的氯硅烷冋收，4）固 废处理，5）氯硅烷废液处理。