《半导体器件》习题及参考答案.docxVIP

第 章 第 章 一个硅 p－n 扩散结在 p 型一侧为线性缓变结， a=1019cm-4 ，n 型一 侧为均匀掺杂，杂质浓度为 3×1014cm－ 3，在零偏压下 p 型一侧的 耗尽层宽度为 μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、 内建电势和最大 电场强度。 解： d 2 dx2 qax,( xp x 0) S d2 qND 2 ,(0 x xn) dx2 S (x) d qa (x2 xp2 ), xp x 0 dx 2S d qND (x) (x xn ),0 x xn dx S x＝0 处 E 连续得 xn＝μm x 总 =xn+xp=μ m 0 xn Vbi E(x)dx n E(x)dx