《半导体器件》习题与参考答案.docxVIP

第二章 一个硅 p－n 扩散结在 p 型一侧为线性缓变结， a=1019cm-4， n 型一侧为均匀 掺杂，杂质浓度为 3×1014cm－3，在零偏压下 p 型一侧的耗尽层宽度为 0.8 μm， 求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。 求零偏压下的总耗尽层宽度、 建电势和最大电场强度。 解：d2dx2qax,( xp x0)d2dx2qND 解： d2 dx2 qax,( xp x 0) d2 dx2 qND ,(0 xn) (x) d dx qa 2 (x2 S 2 xp ), xp x 0 (x) d dx qND (x S xn ),0 x xn x＝0处E连续得 xn＝1.