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半导体器件基础 ⒈　讨论题与思考题 ⑴ ＰＮ结得伏安特性有何特点？ ⑵ 二极管就是非线性元件,它得直流电阻与交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量得二极管电阻属于哪一种?为什么用万用表欧姆档得不同量程测出得二极管阻值也不同？ ⑶　硅二极管与锗二极管得伏安特性有何异同? ⑷　在结构上,三极管就是由两个背靠背得PN结组成得,那么,三极管与两只对接得二极管有什么区别？ ⑸ 三极管就是由两个背靠背得PN结组成得,由很薄得基区联系在一起、那么,三极管得发射极与集电极就是否可以调换使用？ ⑹ 场效应管得性能与双极型三极管比较有哪些特点？ ⒉　作业题 题1、1　　在硅本征半导体中掺入施主杂质,其浓度为,分别求出在2５0K、30０K、350K时电子与空穴得浓度。 题 1.2 若硅PN结得,,求T=300K时PN结得内建电位差。 题1。３　流过硅二极管得电流ID=1mA时,二极管两端压降UD=0.7V,求电流ID=0.１mA与10mA时,二极管两端压降UD分别为多少？ 题1。4 电路如图题1.4中二极管就是理想得,: ① 画出该电路得传输特性; ② 画出输出电压波形。 　 　　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　　 　　 　 题图1。4 题１。5 题图1、５中二极管就是理想得,分别求出题图１。5(a)、(b)中电压U与电流I得值。