数字电子技术基础：第3章_3.3CMOS门电路.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 3.3.1 MOS管的开关特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 3.3.1 MOS管的开关特性 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 恒流区 3.3.1 MOS管的开关特性 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 3.3.1 MOS管的开关特性 三、MOS管的基本开关电路 3.3.1 MOS管的开关特性 四、等效电路 OFF ，截止状态 ON，导通状态 3.3.1 MOS管的开关特性 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 大量正离子 导电沟道 3.3.1 MOS管的开关特性 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 三、输入噪声容限 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 结论：可以通过提高VDD来