关于CMOS、FinFET、SOI器件的介绍和比较.docxVIP

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2021-04-05 发布于天津
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关于器件的介绍和比较作者殷宪锐真空管的发明是电子工业发展的重要动力但在二战之后山于对分立元件的需求增多设备的复杂性和功耗显著增加而设备的性能却不断下降其中一个例子就是波音个真空管组成每个附加组件会降低系统可靠性并增加故障排除时间年来自于贝尔实验室的和发明了错晶体管年开发了第一个双极结晶体管与真空管相比晶体管更可幕功效高尺寸更小年德州仪器的杰克基尔比搭建了第一个集成电路由两个双极晶体管组成该晶体管连接在单片硅片上从而启动了硅时代早期使用双极晶体管由于有更多的静态功耗的这一缺点是一个难以克服的问题这

关于CMOS、FinFET SOl器件的介绍和比较作者:殷宪锐 AbStract:真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但在二战之后，山于对分立元件的需求增多，设备的复杂性和功耗显著增加，而设备的性能却不断下降, 其中一个例子就是波音B-29, Lh 300-1000个真空管组成。每个附加组件会降低系统可靠性并增加故障排除时间。1947年，来自于贝尔实验室的JOhnBaden, WiIliam ShOCkley 和 Watter Brattain 发明了错晶体管。1950 年,ShOCkIey 开发了第一个双极结晶体管（BJT）。与真空管相比，晶体管更可幕，功效高，尺寸更小。1958