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哈尔滨工业大学微电子中心 CMOS低压差线性稳压器设计 内容提要 背景 LDO基本理论 LDO模块设计及仿真结果 LDO整体仿真结果及分析 结论 一、背景 低压差线性降压稳压器 LDO（low drop out） 一、背景 电源管理电路控制信号类型： 模拟 数字 混合 一、背景 电源管理电路结构类型： AC/DC离线变换器 功率因数校正（PFC）预调器 开关稳压器 线性稳压器 电池充电/管理IC 一、背景 一、背景 一、背景 LDO按静态功耗 全向功耗（OmniPower） 微功耗（MicroPower） 毫微功耗（NanoPower） 内容提要 课题背景 LDO基本理论 LDO模块设计及仿真结果 LDO整体仿真结果及分析 结论 二、LDO基本理论 二、LDO基本理论 1、LDO系统结构及工作原理 二、LDO基本理论 两个输入输出退藕降噪电容器 二、LDO基本理论 二、LDO基本理论 二、LDO基本理论 漏失电压（Dropout Voltage） ： Vdropout=min（Vin-Vout）@Vout= Vout±100mV 二、LDO基本理论 二、LDO基本理论 二、LDO基本理论 二、LDO基本理论 内容提要 课题背景 LDO基本理论 LDO模块设计及仿真结果 LDO整体仿真结果及分析 结论 三、LDO模块设计及仿真结果 电压基准源 三、LDO模块设计及仿真结果 三、LDO模块设计及仿真结果 1、带隙基准源 三、LDO模块设计及仿真结果 三、LDO模块设计及仿真结果 a）温度系数TC: 三、LDO模块设计及仿真结果 b）随电源电压变化 三、LDO模块设计及仿真结果 c）电源抑制比PSRR： 三、LDO模块设计及仿真结果 三、LDO模块设计及仿真结果 2、误差放大器 三、LDO模块设计及仿真结果 a）频率响应： 三、LDO模块设计及仿真结果 b）电源抑制比PSRR： 三、LDO模块设计及仿真结果 c）共模抑制比： 三、LDO模块设计及仿真结果 3、PMOS功率管及反馈网络 三、LDO模块设计及仿真结果 b)功率管的尺寸计算： 三、LDO模块设计及仿真结果 c)反馈网络阻值的确定： 三、LDO模块设计及仿真结果 4、过流保护电路 三、LDO模块设计及仿真结果 三、LDO模块设计及仿真结果 5、过温保护电路 三、LDO模块设计及仿真结果 过温保护电路仿真结果： 内容提要 四、LDO整体仿真结果及分析 四、LDO整体仿真结果及分析 负载DC仿真 四、LDO整体仿真结果及分析 四、LDO整体仿真结果及分析 电源抑制比仿真 四、LDO整体仿真结果及分析 稳定性仿真 四、LDO整体仿真结果及分析 四、LDO整体仿真结果及分析 内容提要 五、总结 具体完成的工作及成果如下： （1）从线性稳压器芯片的发展趋势及各种产品的优缺点出发，分析了LDO的基本结构和原理，并对几个关键特性进行了详细的分析和计算，从而为芯片的设计提供理论指导。 （2）选用PMOS元件作为功率管，在100mA的输出电流下，得到60mV的低漏失电压，提高了芯片的效率。 （3）除常规的过温保护和恒定电流限制保护功能外，芯片中还特别设计了折返式短路保护功能，增强了工作的安全性和可靠性。 （4）稳定性设计方面，采用了两级放大器间串联米勒电容的频率补偿技术，实现了全负载范围内的稳定且改善了负载瞬态响应，同时降低了应用成本。 五、总结 挑战与期望： （1）如何减小静态电流以进一步降低系统功耗； （2）在无输出电容时怎样确保系统的稳定性； （3）怎样设计低于硅带隙电压（sub-bandgap）的参 考电压源； （4）如何在不改变瞬态特性基础上，提高负载电流。 图3?8 误差放大器开环频率响应特性 开环增益： 单位增益带宽： UGB=40MHz 仿真方法：断开反馈后，在误差放大器的两端分别加相同的直流电平1.245V，并在同相端叠加一个AC=1V的交流小信号，做交流仿真就可以测出放大器的开环增益。 。 PSRR=60db@1kHz 图3?9 误差放大器的PSRR仿真结果 仿真方法：运放接成单位增益缓冲器，在运放的同相端加直流信号（l.245V），电源的直流电压（5V）上叠加交流信号（1V），进行交流仿真，观察输出电压波形。 图3?10 误差放大器的CMRR仿真结果 CMRR=42db 由共模变化而产生的不期望的差动成分,必须用放大后所需要的差动输出归一化 . 仿真方法：运放接成单位增益缓冲器，在运放两输入端加相同的直流电压（1.245V），并叠加上AC=1V的交流信号，进行交流仿真，观察输出电压波形。 中 中 中等 快 快 速度 高 中等 低 中等 低 效率 漏失电压 小 小 大 中等 中等 静态电