模拟电子电路第一章.pptVIP

[例7] 电路如图所示，场效应管的夹断电压UGS(off）=-4V，饱和 漏极电流IDSS=4mA。试问：为保证负载电阻RL上的电流为恒流，RL 的取值范围应为多少? 解： uGS=0, iD=IDSS , 预夹断点的 uDS=UGS- UGS(off) =4V， 由电路当 uDS=VDD- iDRL ≥4V，管子工作在恒流区 所以 iDRL≤ VDD- uDS=8V RL ≤ 0≤ RL ≤2KΩ 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.晶体管内部载流子的运动 图1.3.3 晶体管内部载流子运动与外部电流 外部条件 发射结正偏 集电结反偏 VCC＞VBB (1) 发射区自由电子向基区扩散 →射极电流(IE ) （2）自由电子在基区的扩散与复合 →基极电流(IB) （3）集电区收集基区的非平衡少子 →集电极电流(IC ) 2.晶体管的电流分配 （晶体管一旦制成，从e区发射的电子到达c区的比例也就定了，此比例 3.晶体管的共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 反映IB对IC的控制作用 反向饱和电流 一般： ICEO =(1+β)ICBO 穿透电流 称为电流放大系数。） 4.晶体管的电流放大作用 图1.3.4 基本共射放大电路 → ← 当 △uI=0时 IC IB 当 △uI≠0时 → → +△IB +△IC （一般为几十 ~ 几百） 共射交流电流放大系数 共基电流放大系数 输入回路 输出回路 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 BJT各电极电压与电流之间的关系曲线，称为伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 │ 图1.3.5 晶体管的输入特性曲线 ① uCE=0时， ② uCE ↑＞0，特性曲线右移。 uBE一定，随着uCE↑→集电区收集载流子的能力增强→iB↓ 它是BJT内部载流子运动的外部表现。 三极管相当于两个并联的二极管； 2. 输出特性曲线 │ 图1.3.6 晶体管的输出特性曲线 （1）截止区： IB=0, iC≤ICEO→无放大作用； （发射结反偏，集电结反偏） （2）放大区： 曲线平坦部分 （发射结正偏，集电结反偏） （3）饱和区： 各特性曲线拐点连线左侧部分 （发射结正偏，集电结正偏） uCE较小， 工程上： uBE =uCE →临界饱和 uBE ＞uCE →过饱和 UCES=0.3V iC基本不随IB变化, 而随uCE↑ →饱和 增加的现象 1.3.4 晶体管主要参数 1.电流放大系数 2) 共发射极交流电流放大系数β 1)共发射极直流电流放大系数 这是指静态(无输入信号)时的电流放大系数，其定义为 这是指动态(有输入信号)时的电流放大系数，其定义为 UCE=常量 一般： 2.极间反向电流 1) c、b极间反向饱和电流ICBO 指e极开路，c、b间加上一定的反向电压时的反向电流 (如同PN结的反向电流)。其测试电路如图(a)所示。 2) c、e极间反向穿透电流ICEO 指b极开路，c、e间加上一定的反向电压时的c极电流。 T一定时，ICBO为一常数 ICEO=(1+β)ICBO ICBO 、ICEO越小， 管子质量越好。 其测试电路如图(b)所示。 3.极限参数 2) 最大集电极耗散功率PCM 1)最大集电极电流ICM ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时，c极允许的最大电流。 （使用时，若iC＞ICM，管子不仅性能会下降，甚至可能会烧坏。） 这是指c结上允许耗散的最大功率，表示如下： 图1.3.7 晶体管的极限参数 3）极间反向击穿电压 指晶体管某一电极开路时，另外 UCBO＞ UCEX＞ UCES＞ UCER＞ UCEO 压，超过此值管子会发生击穿现象。 两个电极间所允许加的最高反向电 4. 特征频率f T 使β↓=1所对应的信号频率。 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 ICBO↑ β↑ UBE↓ 图1.3.8 温度对晶体管输入特性的影响 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 [例4] 用万用表分别测得某放大电路中三极管三个管脚对地电位分别为V1 =-7V，V2=-2V，V3=-2.7V。试判断此三极管的类型？由何种材料制成？三个管脚对应电极。 P P N NPN:Vc ＞ Vb ＞ Ve N N P c b e PNP:Vc ＜ Vb ＜ Ve （1）无论是NPN还是PNP型三极管，基极电位居中间电位，确定基极b 确定e极，同时判断是硅（锗）材料 （3） 第三管脚为c极 （4） U CE＞0,为NPN型， U CE＜0,为PNP型。