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- 2021-04-09 发布于上海
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;;4.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏
集电结反偏;2. 电流分配关系;;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路; 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是:
(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。
(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。;例1:在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 ;例2:用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,试判断这些晶体管分别处于那种工作状态(饱和、截止、放大、倒置或已损坏)。 ;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V (硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。; (1) 共发射极直流电流放大系数
=(IC-ICEO)/IB≈IC / I
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