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IC版图设计;第三章 版图设计;3.2分层和连接;;版图器件层;3.2.1多边形;3.2.1多边形;3.2.2线形;3.2.2线形;3.3晶体管版图简介;3.3晶体管版图简介;;3.3晶体管版图简介;晶体管的长度和宽度;;3.3 晶体管版图简介;3.3.1 衬底连接;3.3.1 衬底连接;3.3.2 导体和接触孔;3.3.4 FET阵列设计 基本规则;3.3.4 FET阵列设计 基本规则;3.3.4 FET阵列设计 基本规则;3.3.4 FET阵列设计 基本规则;3.3.4 FET阵列设计 基本规则;3.3.4 FET阵列设计 基本规则;3.3.4 FET阵列设计;3.4 设计规则（DR，Design Rules） ;;工艺误差;物理极限 ;厂家提供设计规则;设计规则与性能和成品率之间的关系;每一层上的图形都有设计规则，说明一条线的最小宽度以及在相邻多边形之间的边至边的最小间距。;3.4工艺设计规则;3.4.1 宽度规则;3.4.1宽度规则;3.4.2 间距规则;3.4.2 间距规则;3.4.3 交叠规则;3.4.3 交叠规则;常见工艺误差;违背设计规则带来的问题;违背设计规则带来的问题;违背设计规则带来的问题;基本结构的版图;设计规则;设计规则;n阱;n阱;有源区;掺杂硅区;掺杂硅区;有源区;POLY;POLY;POLY; 基本工艺层版图 实际尺寸与设计尺寸的差别; 基本工艺层版图 版图尺寸≠最终尺寸; 基本工艺层版图 有源区接触;基本工艺层版图 金属层:与有源区接触; 基本工艺层版图 金属层:多接触孔;基本工艺层版图 金属层:与源/漏接触;基本工艺层版图 金属层:与多晶接触;PAD;实验所采用的设计规则;实验所采用的设计规则;实验所采用的设计规则;实验所采用的设计规则;实验所采用的设计规则;实验所采用的设计规则
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