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- 2021-04-13 发布于广东
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;;;N沟道;; 源极,用S或s表示; 另一种结构(结构以NHJFET为例);(2)四种JFET的符号:; ; 利用外加电压 改变导电沟道的宽度,从而控制电流 的大小。;;;;*另简述:在VGS不变时(VGS=0) ,VDS对 iD的控制作用 ;;;;;;;1. 直流偏置电路;;;;;;;;;;;结型场效应管(JFET)的符号和转移特性曲线;提示:“金属-氧化物-半导体场效应管”(—绝缘栅场效应管—MOS场效应管)的结构和转移特性曲线; 场效应管与晶体管的比较;结 束;4.3-4.4绝缘栅型场效应管及其放大电路;;G;(2) N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理;;;(3) 特性曲线;;2. 耗尽型绝缘栅场效应管;.;(2) N沟道耗尽型绝缘栅场效应管(MOS管)的特性曲线;.;.;耗尽型;3. 场效应管的主要参数; 场效应管与晶体管的比较; 4.4场效应管放大电路;1.自给偏压式偏置电路;+UDD ;2. 分压式偏置电路;(2) 动态分析;3.源极输出器(N沟道耗尽型MOS场效应管)
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