1786--如何调试碳化硅MOS开关损耗.docxVIP

AN4671 应用笔记 如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗 L. Abbatelli, C. Brusca, G. Catalisano 简介 当今，电力电子不断追求提高效率，降低成本和减小尺寸。 在这个充满挑战的电源转换世界，碳化硅 （SiC）功率开关管越来越突出，尤其是 1200 V功 率开关，碳化硅 MOSFET 日益成为传统硅技术的替代产品。与硅 MOSFET 相比，即使在高温情 况下， 宽带隙材料的先进性和创新性有助于确保 ST 的碳化硅 MOSFET 具有低的导通电阻 * 芯 片面积，同时相对于同比最佳的 1200 V IGBT，ST 的碳化硅 MOSFET 在所有的温度范围内具 有出色的开关性能，这样就简化了功率电子系统的热设计。 具有比同等的以硅作材料的开关器件低得多的开关损耗，碳化硅器件的开关频率是现有器件 二至五倍 , 所以整个系统的设计也受益于更小更轻的无源元件。即使在承受较高的反向电压 或温度升高的情况下，极低的泄漏电流也提高了系统的可靠性和一致性。 所以， 这一切说明碳化硅 MOSFET 的任何应用所得到的效率比硅材料器件的解决方案显著更 高，尤其是工作在高频率的情况。 因此，关键要以怎样的方式驱动碳化硅MOSFET，以促进尽可能低的传导损耗和开关损耗，这 个文档给出了如何在应用中使用 ST 1200 V 碳化硅 MOSFET 的主要设计原则，以得到最佳性 能。 ST 推出的第一个碳化硅 MOSFET 是 80 毫欧 （典型值）的 SCT30N120，该器件采用专有的 HiP247 ™封装，具有业界最高的 200 ℃的额定结温。在本文中所有数据是关于 SCT30N120 的。 August 2015 DocID027654 Rev 1 [English Rev 1] 1/20 Contents AN4671 Contents 1 如何减少传导损耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 2 如何减少开关损耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 2.1 关断损耗 (Eoff) 取决于 Rg 和 Vgs-off . . . . . . . . . . . . . . .6 2.2 开通损耗 (Eon) vs. Rg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 2.3 开通损耗 Eon 和反向恢复损耗 Err 的米勒效应 . . . . . . . . . . . 10 2.4 对驱动电流的要求 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 3 栅极驱动器规格和功能实现 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 4 参考文献 . . . . . . . . . . . . . . .