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电子技术基础 ( 二 ) 课程复习题及答案
一、填空
1
、本征半导体中有空穴和
两种载流子。自由电子
2
、半导体有
P 型和
两种类型。 N 型
3
、PN 结具有
特性。单向导电
4
、二极管按结构分有点接触型和
接触型。面
5
、差动放大电路的电路参数
。对称
6
、差动放大电路的目的是抑制
。共模信号
7
、反馈分有正反馈和
反馈。负
8
、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和
功率放大器。甲乙类
9
、复合管的类型与组成该复合管的
三极管相同。第一只
10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和
组成。功率输出级
11、集成电路按功能分有数字集成电路和
集成电路。模拟
12、过零电压比较器具有极高的
。电压放大倍数
13、正弦波振荡器由基本放大电路、
、反馈网络和稳幅电路四部分组成。选频网络
14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和
。正反馈量要足够大
15、在开关稳压电源中调整管工作于
状态。开关
16、逻辑代数又叫
代数。二值布尔
17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、
三种。逻辑非
18、卡诺图所有的最小项之和为
。 1
19、数字集成器件民用品标为
系列。 74
20、集成逻辑门是最基本的
。数字集成器件
21、反相器就是实现
的器件。逻辑非
22、编码是
的逆过程。译码
23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于
。当前输入
24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、
等。集成寄存器
25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和
。N 进制
26、一个触发器可以存放
位二进制数。 1
27、多谐振荡器又称
。方波发生器
28、 555 集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和
。单稳态触发器
29、绝大多数的
DAC、 ADC均采用
工艺。 CMOS
30、读写存储简称
。 RAM
31、只读存储器简称
。 ROM
二、单选选择题
1 、在本征半导体中掺入微量的(
)价元素,形成
N 型半导体。 D
A、二
B 、三
C
、四
D
、五
2 、在本征半导体中掺入微量的(
)价元素,形成
P 型半导体。 B
A、二
B 、三
C
、四
D
、五
3 、在 P 型半导体中,电子浓度(
)空穴浓度。 C
A、大于
B
、等于
C
、小于
D
、与温度有关
4 、在本征半导体中,电子浓度(
)空穴浓度。 B
A、大于
B
、等于
C
、小于
D
、与温度有关
5 、在 N 型半导体中,电子浓度(
)空穴浓度。 A
A、大于
B
、等于
C
、小于
D
、与温度有关
6 、锗二极管正向导通的条件是
(
)
。 B
A、 Ub= B
、 Ub = C
、Ub =
D 、 Ub =
7 、硅二极管正向导通的条件是
(
)
。 A
A、 U b= B
、 Ub = C
、 U b = D
、 Ub =
8 、二极管正向导通时的电阻
RD (
)
。 A
A
、很小
B
、很大
C
、等于 1k
D
、无法确认
9 、二极管反向导通时的电阻
RD (
)
。 B
A、很小
B
、 很大
C
、 等于
1k
D
、无法确认
10、晶体二极管最显著的特性是
(
)
。 C
A、开关特性
B
、信号放大特性
C
、单向导通特性
D 、稳压特性
11、稳压管的稳压区是其工作在(
)。 C
A、正向导通
B
、反向截止
C
、反向击穿
D
、反向截止或击穿
12、测量某放大电路中的一只
NPN型晶体三极管,各电极对地的电位是:
U1=2V, U2=6V, U3=,则该三极管各管脚的名称是()。 B
A、 1 脚为 c, 2 脚为 b , 3 脚为 e
B
、1 脚为 e, 2 脚为 c, 3 脚为 b
C、 1 脚为 b, 2 脚为 e , 3 脚为 c
D
、1 脚为 b, 2 脚为 c, 3 脚为 e
13、若晶体三极管工作在截止状态,则以下符合的条件为
(
)
。 C
A、UCE< U BE
B、UCE>U BE
C
、IB=0
D
、IC=0
14、晶体三极管有
(
)
种工作状态。
C
A、1种B
、 2 种
C 、3种
D、4种
15、若测得
UCE > U BE,则可以判断三极管处于(
)状态。 A
A、放大
B
、饱和
C 、截止
D 、短路
16、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(
)。 B
A、前者反偏、后者也反偏
B
、前者正偏、后者反偏
C、前者正偏、后者也正偏
D
、前者反偏、后者正偏
17、晶体三极管的重要特性是
(
)
。 A
A、电流放大作用
B
、电压放大作用
C、功率放大作用
D
、电能流放大作用
18、晶体三极管由(
)构成。 A
A、 三个半导体区和两个
PN 结
B
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