07可编程逻辑器件.pptx

第七章 可编程逻辑电路“软件固化”, “以存代算”思想的体现用软件设计硬件：硬件描述语言(HDL)硬件设计的进步:方便、灵活、可修改设计用户可编程设计方便易于实现主要内容: 可编程逻辑器件及应用目录7.1 导论7.2 只读存储器(ROM)7.3 随机存储器(RAM)7.4 可编程逻辑器件概述(PAD)7.5 通用阵列逻辑GAL7.6 现场可编程门阵列 FPGA7.1 导论最常用的可编程逻辑器件 可编程逻辑器件PLD (Programmable Logic Device) 是一大类器件的总称,包括:ROM (Read-Only Memory) 只读存储器PLA (Programmable Logic Array)可编程逻辑阵列PAL (Programmable Array Logic)可编程阵列逻辑GAL (General Array Logic)通用阵列逻辑还有FPGA,CPLD等 7.2 只读存储器(ROM)两大类存储器（Memory）ROM (Read-Only Memory)一旦信息写入，在机器上只读RAM (Random-Access Memory)随机存储器，在运行状态可读可写ROM功能存放固定信息程序，常数，指令，......ROM的优点信息非“易失”(Nonvolatile)简单，容量大ROM分类用户编程ROM工厂编程Mask PROMPROM一次编程OTP PROM多次编程EPROME2PROMUV EPROMFlash E2PROMStandard E2PROM内存细分信息存取方式特点用途半导体厂家用掩膜技术写入程序适用于批量生产 掩膜ROM内容只能读出，不能改变.成本低，不适用研究工作用户使用特殊方法进行编程，只适用于批量生产 PROM可编程ROM内容只能读出，不能改变.能写一次，一次编程不能修改。不适用研究工作固化程序用紫外线光照5～适用于研究工作15分钟擦除，用户可以对芯片进行多次编程不适用于批量生EPROM光可擦除PROM擦除后可以重新固化新的程和擦除。产。序和数据。ROM集成度和速度不及EPROM，E2PROM电可擦除实现全片和字节擦写改写，作为非易失性价格高，PROMRAM使用。擦写在原系统中在线进行。用于PC机内装操CMOS 低功耗；作系统和系统不编程快（每个字节编程100μs能丢失初始功能Flash Memory可以整体电擦除（时间1S） 整个芯片0. 5s）；的专门领域。快速电擦写存储器和按字节重新高速编程。擦写次数多（通常可达到10万）需要周期性地修与E2PROM比较：容量大、价格改被存储的数据低、可靠性高等优势。表的场合。只读存储器ROM分类字线W0存储体A0W1位线 地址译码器地址W2A1W3B3B2B1B0输出缓冲器F3F2F1F0ROM结构4字×4位00001010101ROM的工作原理导通1导通W0=A1A0m0A0地W1=A1A0址m1译W2=A1A0m2码A1W3=A1A0器m3D3D2D1D0存储矩阵是一个“或”逻辑阵列有二极管无二极管 简化的 ROM存储矩阵阵列图W0W2W0W1W2W3+W0W1W2W3B0B0++B0B1 B2 B3存储体或阵列可以画为：A0A1A0A0A1A1A0_A0A1_A1A0A1W0W0W0W1W2W3地址译码：与阵列字数很少，一级译码字数较大，采用多级译码ROM字数很大时，译码系统很复杂。W0W1W2W3固定连接A0A1可编程连接Y0+Y1+Y2+不连接Y3+——与阵列固定、或阵列可编程PROMA0A1A2与阵列不可编程F0F1F2F3或阵列可编程8x4 ROM8个存储单元，每个单元存储4位二进制数码。A8译码64x64646位...A38883A2A1A0缓冲3位...缓冲...CE2CE1CE0F7F6... F0512 x 8PROM芯片结构存储阵列8-1MuxROM的应用1、位扩展【例】用4片32?8ROM扩展成32?32ROM。__CE016片__CE1行选择512x8ROM512x8ROM4-16...16片......512x8ROM512x8ROM...列选择4-16 译码2、字扩展用256片(512x8) ROM芯片扩展成 128Kx8 ROM【例1】用2片(32x8) ROM芯片扩展成 128x4 ROM【例2】输 入输 出显 示D C B Aa b c d e f g h0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 10 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 10 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 10 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1