GTO的基本结构和工作原理.docxVIP

门极可断晶闸管(gate turn-off thyristor, gto)是一种具有自断能力的晶闸管。 处于断态时，如果有阳极正向电压，在其门极加上正向触发脉冲电流后， gto 可由断态转入通态，已处于通态时，门极加上足够大的反向脉冲电流， GTO 由通态转入断态。由于不需用外部电路强迫阳极电流为 0而使之关断，仅由门 极加脉冲电流去关断它；所以在直流电源供电的 DC — DC, DC — AC变换电 路中应用时不必设置强迫关断电路。这就简化了电力变换主电路，提高了工 作的可靠性，减少了关断损耗，与 SCR相比还可以提高电力电子变换的最高 工作频率。因此，GTO是一种比较理想的大功率开关器件。 一、结构与工作原理 1、结构 gto是一种PNPN4层结构的半导体器件，其结构、等效电路及图形符号示于 图1中。图1中A、G和K分别表示gto的阳极、门极和阴极。 01为P1N1P2 晶体管的共基极电流放大系数， 02为N2P2N1晶体管的共基极电流放大系数， 图1中的箭头表示各自的多数载流子运动方向。通常 a比a小，即P1N1P2 晶体管不灵敏，而N2P2N1晶体管灵敏。gto导通时器件总的放大系数 a+ a 稍大于1，器件处于临界饱和状态， 为用门极负信号去关断阳极电流提供了可 能性。 普通晶闸管SCR也是PNPN4层结构，外部引出阳极、门极和阴极，构 成一个单元器件。GTO称为GTO元，它们的门极和阴极分别并联在一起。与 SCR不同，GTO是一种多元的功率集成器件，这是为便于实现门极控制关断 所米取的特殊设计 GTO的开通和关断过程与每一个 GTO元密切相关，但GTO元的特性又不等 同于整个GTO器件的特性，多元集成使 GTO的开关过程产生了一系列新的问 题。 2、 开通原理 由图1 （ b）所示的等效电路可以看出，当阳极加正向电压，门极同时加 正触发信号时，GTO导通，其具体过程如图2所示。 显然这是一个正反馈过程。当流入的门极电流 Ig足以使晶体管N2P2N1 的发射极电流增加，进而使晶体管 P1N1P2的发射极电流也增加时， a和a 增加。当a+ Q1之后，两个晶体管均饱和导通， GTO则完成了导通过程。 可见，GTO开通的必要条件是 a+ a1， （ 1） 此时注入门极的电流 Ig=[1- （ a+ a）Ia]/ a （2） 式中，Ia gto的阳极电流； Ig——gto的门极电流。 由式（2）可知，当gto门极注入正的电流Ig但尚不满足开通条件时，虽 有正反馈作用，但器件仍不会饱和导通。这是因为门极电流不够大，不满足 a+ o21的条件，这时阳极电流只流过一个不大而且是确定的电流值。当门 极电流ig撤销后，该阳极电流也就消失。与 a+ o2=1状态所对应的阳极电 流为临界导通电流，定义为 GTO的擎住电流。当GTO在门极正触发信号的作 用下开通时，只有阳极电流大于擎住电流后， GTO才能维持大面积导通。｛｛分 页}} 由此可见，只要能引起 a和a变化，并使之满足 a+ ai条件的任何 因素，都可以导致PNPN4层器件的导通。所以， 除了注入门极电流使 gto导 通外，在一定条件下过高的阳极电压和阳极电压上升率 du/dt，过高的结温 及火花发光照射等均可能使 GTO触发导通。所有这些非门极触发都是不希望 的非正常触发，应采取适当措施加以防止。 实际上，因为gto是多元集成结构，数百个以上的 GTO元制作在同一硅 片上，而GTO元的特性总会存在差异，使得 GTO元的电流分布不均，通态压 降不一，甚至会在开通过程中造成个别 GTO元的损坏，以致引起整个 GTO的 损坏。为此，要求在制造时尽可能使硅片微观结构均匀，严格控制工艺装备 和工艺过程，以求最大限度地达到所有 GTO元的特性的一致性。另外，要提 高正向门极触发电流脉冲上升沿陡度，以求达到缩短 GTO元阳极电流滞后时 间，加速GTO元阴极导电面积的扩展，缩短 GTO开通时间的目的。 3、 关断原理 也)霍斷过胖弊效电蹄圈3 (iTO Jcftr电路与 也)霍斷过胖弊效电蹄 圈3 (iTO Jcftr电路与 关斷过程疲形 GTO开通后可在适当外部条件下关断，其 关断电路原理与关断时的阳极和门极电流如图 3所示。关断GTO时，将开关S 闭合，门极就施以负偏置电压 Ug。晶体管P1N1P2的集电极电流Ici被抽出形 成门极负电流-I G，此时晶体管N2P2N1的基极电流减小，进而引起 Ici的进一 步下降，如此循环不已，最终导致 GTO的阳极电流消失而关断。 GTO的关断过程分为三个阶段：存储时间(t s)阶段，下降时间(t f)阶段， 尾部时间(t t )阶段。关断过程中相应的阳极电流 iA、门极电流iG、管压降UAK 和功耗Poff随时间的变化波形如图3(b)所示。 (1