半导体习题和解答模板.docx

第一篇 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高， 本征激发的载流子越多， 为什么？试定性说 明之。 1-2、 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征。 1-4、简述 Ge、Si 和 GaAS 的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为 其中 E0 E(k ) E0 1 0.1cos(ka) 0.3sin(ka) ，晶格常数 х -11 。求： =3eV a=5 10 m （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥ Eg）被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子 - 空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有 更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带， 即允带和禁带。 温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此， Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、 解：空穴是未被电子占据的空量子态， 被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A、荷正电： +q； B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）； C、E P=-En D、m P*=-m n*。 1-4 、 解： （1） Ge 、Si: a） Eg (Si ：0K) = 1.21eV ；Eg (Ge ：0K) = 1.170eV ； b）间接能隙结构 c）禁带宽度 Eg 随温度增加而减小； （2） GaAs ： a）Eg （300K ）= 1.428eV ，Eg (0K) = 1.522eV ； b）直接能隙结构； dEg /dT = -3.95 × 10-4 eV/K ； c）Eg 负温度系数特性： 1-5 、 解： （ 1） 由题意得： dE sin(ka) 3cos(ka) 0.1aE0 dk dE 2 2 E0 cos(ka ) 3sin( ka) 0.1a d 2k 令 dE 0,得 tg（ ka） 1 dk 3 k1a 18.4349o , k2a 198.4349o 当 k1 a 18.4349 o , dE2 2 0.1a2 E0 (cos18.4349 3sin18.4349) 2.28 10 40 0, d k 对应能带极小值； 当 k2a 198.4349o , dE 2 0.1a2 E0 (cos198.4349 3sin198.4349) 2.28 10 40 0, d 2k 对应能带极大值。 则能带宽度 E E max E min 1.1384eV 2） 1 dE 2 1 2.28 10  40  1 mn* 带底 d 2k 6.625 10 h2 则 k1 1 dE 2 * 1 2.28 10 mn 带顶 d 2k 6.625 10 h2 k2  1.925 10 27 kg 34 2 1 40 34 2 1.925 10 27 kg 答：能带宽度约为 1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为 1.925x10-27kg，能带底部电子的有效质量约为 -1.925x10-27kg。 第二篇 半导体中的杂质和缺陷能级习题 2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出 n 型半导体。 2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出 p 型半导体。 2-4、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 2-5、两性杂质和其它杂质有何异同？ 2-6、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 2-7、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 题解： 2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。 施主电离前不带电， 电离后带正电。 例如，在 Si 中掺 P，P 为 Ⅴ族元素， 本征半导体 Si 为Ⅳ族元素， P 掺入 Si 中后， P 的最外层电子有四个与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子，而 P 的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成